Nuolat tobulėjant mokslui ir technologijoms, išmani medicinos įranga tapo svarbia medicinos pramonės inovacijų ir plėtros varomąja jėga. Tarp jų MOSFET (metalo oksido-puslaidininkio lauko efekto tranzistorius) technologija atlieka pagrindinį vaidmenį gerinant medicinos įrangos veikimą ir mažinant energijos suvartojimą. MOSFET tapo nepakeičiamu išmaniosios medicinos įrangos komponentu dėl didelio efektyvumo, mažos varžos ir greito perjungimo galimybių.
Nešiojamų medicinos prietaisų srityjeMOSFETminiatiūrizavimas ir mažos energijos sąnaudos daro jį idealiu pasirinkimu. Jis užtikrina efektyvų energijos valdymą kompaktiškoje erdvėje, prailgindamas įrenginio baterijos veikimo laiką ir užtikrindamas, kad kritiniais momentais prietaisas galėtų teikti tikslias ir patikimas medicinines paslaugas.
Išmani medicinos įrangapavyzdžiui, elektrokardiografai, kraujospūdžio matuokliai ir gliukozės kiekio kraujyje matuokliai, pradėjo plačiai taikyti MOSFET technologiją. MOSFET ne tik pagerina šių įrenginių veikimą, bet ir daro juos ekologiškesnius bei ekonomiškesnius, nes sumažina energijos suvartojimą.
MOSFET taip pat vaidina svarbų vaidmenį medicininio vaizdo gavimo srityse, tokiose kaip MRT ir kompiuterinė tomografija. Jo greito perjungimo galimybės ir didelis našumas užtikrina, kad medicininė vaizdo gavimo įranga gali pateikti didelės raiškos ir aukštos kokybės vaizdus, padeda gydytojams nustatyti tikslesnes diagnozes.
WINSOK MOSFET paraiškos medžiagos numeris išmaniosios medicinos įrangos srityje:
Dalies numeris | Konfigūracija | Tipas | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS (ĮJUNGTA) (mΩ) | Ciss | Paketas | |||
@10V | |||||||||||
(V) | Maks. | Min. | Tip. | Maks. | Tip. | Maks. | (pF) | ||||
Vienišas | N-Ch | 30 | 7 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
Vienišas | P-Ch | -30 | -40 | -1.3 | -1.8 | -2.3 | 11 | 14 | 1380 m | DFN3X3-8 | |
Vienišas | N-Ch | 30 | 100 | 1.5 | 1.8 | 2.5 | 3.3 | 4 | 1350 m | DFN5X6-8 | |
Vienišas | N-Ch | 30 | 150 | 1.4 | 1.7 | 2.5 | 1.8 | 2.4 | 3200 | DFN5X6-8 | |
Vienišas | P-Ch | -20 | -120 | -0,4 | -0,6 | -1 | - | - | 4950 | DFN5X6-8 | |
Vienišas | P-Ch | -30 | -120 | -1.2 | -1.5 | -2.5 | 2.9 | 3.6 | 6100 | DFN5X6-8 | |
Vienišas | N-Ch | 30 | 43 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | 10 | 12 | 940 | TO-252 | |
Vienišas | N-Ch | 30 | 85 | 1 | 1.5 | 2.5 | 4.5 | 5.5 | 2295 | TO-252 |
Atitinkamas medžiagos numeris:
WINSOK WST3400 atitinkamas medžiagos numeris: AOS AO3400,AO3400A,AO3404.Onsemi,FAIRCHILD FDN537N.NIKO-SEM P3203CMG.Potens Semiconductor PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
WINSOK WSD30L40DN atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C.STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203BAA.PE507BAA.
WINSOK WSD30100DN56 atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON6354, AON6572, AON6314, AON6502, AON6510.
NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiRA80DP,SiDR392DP.STMicroelectronics STL65DN3LLH5,STL58N3LLH5.INFINEON,IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSP3BSCN03LSG XPPSMN7R0-30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEM PK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.
WINSOK WSD30150DN56 atitinkamas medžiagos numeris:AOS AON6512,AONS32304Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.PANJIT PJQ5428.NIKO-SEM PKC26BB.PoPKE239miBB,PoPKE2
WINSOK WSD20L120DN56 atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON6411.TOSHIBA TPH1R403NL.
WINSOK WSD30L120DN56 atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON6403,AON6407,AON6411.PANJIT PJQ5427.NIKO-SEM PK5A7BA.Potens Semiconductor PDC3901X.
WINSOK WSF3040 atitinkamas medžiagos numeris: AOS AOD32326,AOD418,AOD514,AOD516,AOD536,AOD558.Onsemi,FAIRCHILD FDD6296.STMicroelectronics STD40NF3LL.INFINEON,IR PPANHITTKJ3 IPDGTONNP0 45N03.Sinopower SM3117NSU,SM3119NAU.
WINSOK WSF3085 atitinkamas medžiagos numeris:AOS AOD4132,AOD508,AOD518.Onsemi,FAIRCHILD FDD050N03B.STMicroelectronics STD100N3LF3.INFINEON,IR IPD031N03LG,IPDJSMDDS06N03 SU.
Apskritai MOSFET technologija skatina išmaniosios medicinos įrangos kūrimą, kad ji būtų efektyvesnė, tikslesnė ir ekologiškesnė. Nuolat tobulėjant technologijoms, MOSFET turi plačias taikymo perspektyvas išmaniojoje medicinos įrangoje ir tikimasi, kad medicinos pramonėje bus daugiau naujovių ir pokyčių.
Paskelbimo laikas: 2023-10-27