WINSOK MOSFET naudojamas elektroniniuose greičio reguliatoriuose

Taikymas

WINSOK MOSFET naudojamas elektroniniuose greičio reguliatoriuose

Elektronikos ir automatikos pramonėje taikymasMOSFET(metalo oksido-puslaidininkių lauko tranzistoriai) tapo pagrindiniu veiksniu gerinant elektroninių greičio reguliatorių (ESR) veikimą. Šiame straipsnyje bus nagrinėjama, kaip veikia MOSFET ir kaip jie atlieka gyvybiškai svarbų vaidmenį elektroniniame greičio valdyme.

WINSOK MOSFET naudojamas elektroniniuose greičio reguliatoriuose

Pagrindinis MOSFET veikimo principas:

MOSFET yra puslaidininkinis įtaisas, kuris valdydamas įtampą įjungia arba išjungia elektros srovės srautą. Elektroniniuose greičio reguliatoriuose MOSFET naudojami kaip perjungimo elementai, reguliuojantys srovės srautą į variklį, leidžiantys tiksliai valdyti variklio greitį.

 

MOSFET pritaikymas elektroniniuose greičio reguliatoriuose:

Pasinaudodami puikiu perjungimo greičiu ir efektyviomis srovės valdymo galimybėmis, MOSFET yra plačiai naudojami elektroniniuose greičio reguliatoriuose PWM (impulso pločio moduliavimo) grandinėse. Ši programa užtikrina, kad variklis gali veikti stabiliai ir efektyviai esant įvairioms apkrovos sąlygoms.

 

Pasirinkite tinkamą MOSFET:

Kuriant elektroninį greičio reguliatorių, labai svarbu pasirinkti tinkamą MOSFET. Parametrai, į kuriuos reikia atsižvelgti, apima didžiausią nutekėjimo šaltinio įtampą (V_DS), didžiausią nuolatinio nuotėkio srovę (I_D), perjungimo greitį ir šiluminę charakteristiką.

Toliau pateikiami elektroninių greičio reguliatorių WINSOK MOSFET taikomųjų dalių numeriai:

Dalies numeris

Konfigūracija

Tipas

VDS

ID (A)

VGS(th)(v)

RDS (ĮJUNGTA) (mΩ)

Ciss

Paketas

@10V

(V)

Maks.

Min.

Tip.

Maks.

Tip.

Maks.

(pF)

WSD3050DN

Vienišas

N-Ch

30

50

1.5

1.8

2.5

6.7

8.5

1200

DFN3X3-8

WSD30L40DN

Vienišas

P-Ch

-30

-40

-1.3

-1.8

-2.3

11

14

1380 m

DFN3X3-8

WSD30100DN56

Vienišas

N-Ch

30

100

1.5

1.8

2.5

3.3

4

1350 m

DFN5X6-8

WSD30160DN56

Vienišas

N-Ch

30

120

1.2

1.7

2.5

1.9

2.5

4900

DFN5X6-8

WSD30150DN56

Vienišas

N-Ch

30

150

1.4

1.7

2.5

1.8

2.4

3200

DFN5X6-8

 

Atitinkami medžiagų numeriai yra tokie:

WINSOK WSD3050DN atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,SiNNNSS 0MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P. NIKO-SEM PE5G6EA.

WINSOK WSD30L40DN atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON7405,AONR21357,AONR7403,AONR21305C. STMicroelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEMP1203EEA,PE507BA.

WINSOK WSD30100DN56 atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON6354,AON6572,AON6314,AON6502,AON6510.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4946N.VISHAY SiRA60DP,SiDR390DP,SiDR390DP,SiRADRSTMi398DPronc ,STL58N3LLH5.INFINEON/IR BSC014N03LSG,BSC016N03LSG,BSC014N03MSG,BSC016N03MSG.NXP NXPPSMN7R0- 30YL.PANJIT PJQ5424.NIKO-SEMPK698SA.Potens Semiconductor PDC3960X.

WINSOK WSD30160DN56 atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON6382,AON6384,AON6404A,AON6548.Onsemi,FAIRCHILD NTMFS4834N,NTMFS4C05N.TOSHIBA PPH2R903PL.PANDCEKO2ten1 3902X.

WINSOK WSD30150DN56 atitinkamas medžiagos numeris: AOS AON6512,AONS32304.Onsemi,FAIRCHILD FDMC8010DCCM.NXP PSMN1R7-30YL.TOSHIBA TPH1R403NL.PANJIT PJQ5428. NIKO-SEM PKC26BB,PKE24BB.Potens Semiconductor PDC3902X.

 

Optimizuokite elektroninio greičio reguliatoriaus veikimą:

Optimizavus MOSFET veikimo sąlygas ir grandinės konstrukciją, elektroninio greičio reguliatoriaus veikimas gali būti dar labiau pagerintas. Tai apima tinkamo aušinimo užtikrinimą, tinkamos tvarkyklės grandinės parinkimą ir užtikrinimą, kad kiti grandinės komponentai taip pat atitiktų veikimo reikalavimus.


Paskelbimo laikas: 2023-10-26