Kaip pasirinkti MOSFET?

Yra dviejų tipų MOSFET: N kanalas ir P kanalas. Energijos sistemose,MOSFETgali būti laikomi elektros jungikliais. N kanalo MOSFET jungiklis veikia, kai tarp vartų ir šaltinio pridedama teigiama įtampa. Vedant srovė gali tekėti per jungiklį iš kanalizacijos į šaltinį. Tarp kanalizacijos ir šaltinio yra vidinė varža, vadinama įjungimo varža RDS(ON).

 

MOSFET kaip pagrindinis elektros sistemos komponentas, Guanhua Weiye pasakys, kaip teisingai pasirinkti pagal parametrus?

I. Kanalo pasirinkimas

Pirmasis žingsnis renkantis tinkamą įrenginį jūsų dizainui yra nuspręsti, ar naudoti N kanalo ar P kanalo MOSFET. maitinimo sistemose MOSFET įžeminamas ir apkrova prijungiama prie magistralinės įtampos, kai MOSFET sudaro žemos įtampos šoninį jungiklį. N kanalų MOSFET turėtų būti naudojami žemos įtampos šoniniam perjungimui, atsižvelgiant į įtampą, reikalingą įrenginiui išjungti arba įjungti. Aukštos įtampos šoninis perjungimas turėtų būti naudojamas, kai MOSFET yra prijungtas prie magistralės ir apkrovos įžeminimo jungties.

 

II. Įtampos ir srovės pasirinkimas

Kuo didesnė vardinė įtampa, tuo didesnė įrenginio kaina. Remiantis praktine patirtimi, vardinė įtampa turi būti didesnė už magistralės arba magistralės įtampą. Tik tada jis gali užtikrinti pakankamą apsaugą nuo MOSFET gedimo. Renkantis MOSFET, reikia nustatyti maksimalią įtampą nuo nutekėjimo iki šaltinio.

Nepertraukiamo laidumo režimu,MOSFETyra pastovios būsenos, kai srovė nuolat teka per įrenginį. Impulsų šuoliai yra tada, kai per prietaisą teka dideli šuoliai (arba didžiausios srovės). Nustačius didžiausią srovę tokiomis sąlygomis, tiesiog pasirinkite įrenginį, kuris gali atlaikyti didžiausią srovę.

 

Trečia, laidumo praradimas

Kadangi atsparumas įjungimui kinta priklausomai nuo temperatūros, galios nuostoliai skirsis proporcingai. Nešiojamam dizainui dažniau naudojama žemesnė įtampa, o pramoniniam dizainui gali būti naudojama aukštesnė įtampa.

 

Sistemos šiluminiai reikalavimai

Kalbant apie sistemos aušinimo reikalavimus, „Crown Worldwide“ primena, kad reikia atsižvelgti į du skirtingus scenarijus – blogiausią atvejį ir tikrąją situaciją. Naudokite blogiausio atvejo skaičiavimą, nes šis rezultatas suteikia didesnę saugos ribą ir gali garantuoti, kad sistema nesuges.

TheMOSFETpalaipsniui keičia triodą integrinėse grandinėse dėl mažo energijos suvartojimo, stabilaus veikimo ir atsparumo spinduliuotei. Tačiau jis vis tiek yra labai gležnas ir, nors dauguma jų jau turi įmontuotus apsauginius diodus, jie gali būti pažeisti, jei nebus imtasi atsargumo. Todėl geriausia būti atsargiems ir taikant.