-
Skirtumas tarp N kanalo MOSFET ir P kanalo MOSFET! Padėkite geriau išsirinkti MOSFET gamintojus!
Grandinių projektuotojai, rinkdamiesi MOSFET, turi atsižvelgti į klausimą: ar jie turėtų rinktis P kanalo MOSFET ar N kanalo MOSFET? Kaip gamintojas, turite norėti, kad jūsų produktai konkuruotų su kitais prekybininkais mažesnėmis kainomis, o jūs...Skaityti daugiau -
Išsamus MOSFET | veikimo principo schemos paaiškinimas AKT vidinės struktūros analizė
MOSFET yra vienas iš pagrindinių puslaidininkių pramonės komponentų. Elektroninėse grandinėse MOSFET paprastai naudojamas galios stiprintuvo grandinėse arba perjungimo maitinimo grandinėse ir yra plačiai naudojamas. Žemiau OLUKEY pateiks jums ...Skaityti daugiau -
Olukey paaiškina MOSFET parametrus jums!
MOSFET, kaip vienas iš pagrindinių puslaidininkių srities įrenginių, plačiai naudojamas tiek IC projektavimo, tiek plokštės lygio grandinės programose. Taigi, kiek jūs žinote apie įvairius MOSFET parametrus? Kaip vidutinio ir žemo lygio specialistas...Skaityti daugiau -
Olukey: Pakalbėkime apie MOSFET vaidmenį pagrindinėje greitojo įkrovimo architektūroje
Pagrindinėje greitojo įkrovimo QC maitinimo struktūroje naudojamas „flyback“ + antrinis (antrinis) sinchroninis ištaisymas SSR. Flyback keitikliams pagal grįžtamojo ryšio mėginių ėmimo metodą jį galima suskirstyti į: pirminę pusę (prima...Skaityti daugiau -
Kiek žinote apie MOSFET parametrus? OLUKEY analizuoja tai už jus
„MOSFET“ yra metalo oksido puslaidininkio lauko efekto tranzistoriaus santrumpa. Tai įrenginys, pagamintas iš trijų medžiagų: metalo, oksido (SiO2 arba SiN) ir puslaidininkio. MOSFET yra vienas pagrindinių įrenginių puslaidininkių srityje. ...Skaityti daugiau -
Kaip pasirinkti MOSFET?
Pastaruoju metu daug klientų, atvykę į Olukey pasikonsultuoti dėl MOSFET, užduos klausimą, kaip išsirinkti tinkamą MOSFET? Į šį klausimą Olukey atsakys visiems. Pirmiausia turime suprasti principą...Skaityti daugiau -
N kanalo tobulinimo režimo MOSFET veikimo principas
(1) vGS valdymo efektas ID ir kanalui ① Atvejis, kai vGS=0 Galima pastebėti, kad tarp patobulinimo režimo MOSFET nutekėjimo d ir šaltinio yra dvi PN jungtys. Kai vartų šaltinio įtampa vGS = 0, net jei...Skaityti daugiau -
MOSFET pakuotės ir parametrų santykis, kaip pasirinkti FET su atitinkama pakuote
①Įkraunama pakuotė: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Paviršinio tvirtinimo tipas: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Skirtingos pakuotės formos, atitinkama ribinė srovė, įtampa ir šilumos išsklaidymo efektas MO...Skaityti daugiau -
Ką reiškia trys supakuoto MOSFET kaiščiai G, S ir D?
Tai supakuotas MOSFET piroelektrinis infraraudonųjų spindulių jutiklis. Stačiakampis rėmas yra jutimo langas. G kontaktas yra įžeminimo gnybtas, D kaištis yra vidinis MOSFET nutekėjimas, o S kaištis yra vidinis MOSFET šaltinis. Grandinėje...Skaityti daugiau -
Galios MOSFET svarba pagrindinės plokštės kūrimui ir dizainui
Visų pirma, labai svarbus yra procesoriaus lizdo išdėstymas. Turi būti pakankamai vietos procesoriaus ventiliatoriui įdiegti. Jei jis yra per arti pagrindinės plokštės krašto, kai kuriais atvejais bus sunku sumontuoti procesoriaus radiatorių, kai...Skaityti daugiau -
Trumpai pakalbėkime apie didelio galingumo MOSFET šilumos išsklaidymo įrenginio gamybos būdą
Konkretus planas: didelio galingumo MOSFET šilumos išsklaidymo įtaisas, įskaitant tuščiavidurės konstrukcijos korpusą ir plokštę. Grandinės plokštė yra išdėstyta korpuse. Prie abiejų grandinės galų prijungta keletas greta esančių MOSFET...Skaityti daugiau -
FET DFN2X2 paketas vieno P kanalo 20V-40V modelio išdėstymas_WINSOK MOSFET
WINSOK MOSFET DFN2X2-6L paketas, vieno P kanalo FET, įtampos 20V-40V modeliai apibendrinami taip: 1. Modelis: WSD8823DN22 vienas P kanalas -20V -3,4A, vidinė varža 60mΩ F Atitinkami modeliai: AOS:AON240DM ...Skaityti daugiau
