WSD100N15DN56G N kanalas 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

trumpas aprašymas:

Dalies numeris:WSD100N15DN56G

BVDSS:150V

ID:100A

RDSON:6 mΩ

Kanalas:N kanalas

Paketas:DFN5X6-8

Siųskite mums el PDF

Produkto detalė

Taikymas

Produkto etiketės

WINSOK MOSFET produktų apžvalga

WSD100N15DN56G MOSFET įtampa 150V, srovė 100A, varža 6mΩ, kanalas N kanalas, paketas DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET taikymo sritys

Medicinos maitinimo šaltiniai MOSFET, PD MOSFET, dronai MOSFET, elektroninės cigaretės MOSFET, pagrindiniai prietaisai MOSFET ir elektriniai įrankiai MOSFET.

MOSFET parametrai

Simbolis	Parametras	Įvertinimas	Vienetai
VDS	Drenažo šaltinio įtampa	150	V
VGS	Vartų šaltinio įtampa	±20	V
ID	Nuolatinė nutekėjimo srovė, V_GS@ 10V (T_C=25 ℃)	100	A
IDM	Impulsinė nutekėjimo srovė	360	A
EAS	Vieno impulso lavinos energija	400	mJ
P_D	Bendras galios išsklaidymas..._C=25 ℃)	160	W
RθJA	Šiluminė varža, sandūra-aplinkos	62	℃/W
RθJC	Šiluminė varža, jungties korpusas	0,78	℃/W
TSTG	Laikymo temperatūros diapazonas	-55-175	℃
T_J	Darbinės sankryžos temperatūros diapazonas	-55-175	℃

Simbolis	Parametras	Sąlygos	Min.	Tip.	Maks.	Vienetas
BV_DSS	Nutekėjimo šaltinio gedimo įtampa	V_GS= 0 V, I_D= 250 uA	150	---	---	V
RDS (ĮJUNGTA)	Statinis nutekėjimo šaltinio įjungimo pasipriešinimas²	V_GS=10V, I_D=20A	---	9	12	mΩ
VGS(th)	Vartų slenkstinė įtampa	V_GS=V_DS, aš_D= 250 uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Nutekėjimo šaltinio nuotėkio srovė	V_DS=100V, V_GS= 0 V, T_J= 25 ℃	---	---	1	uA
IGSS	Vartų šaltinio nuotėkio srovė	V_GS=±20V, V_DS= 0 V	---	---	±100	nA
Q_g	Visas vartų mokestis	V_DS=50V, V_GS=10V, I_D=20A	---	66	---	nC
Q_gs	Vartų šaltinio mokestis		---	26	---
Q_gd	Vartų nutekėjimo mokestis		---	18	---
Td (įjungta)	Įjungimo delsos laikas	V_DD=50V,V_GS=10V R_G=2Ω, I_D=20A	---	37	---	ns
T_r	Kilimo laikas		---	98	---
Td (išjungta)	Išjungimo delsos laikas		---	55	---
T_f	Rudens laikas		---	20	---
C_iss	Įvesties talpa	V_DS=30V, V_GS=0V , f =1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Išėjimo talpa		---	1730 m	---
C_rss	Atvirkštinio perdavimo talpa		---	195	---