WSD30L88DN56 Dvigubas P kanalas -30V -49A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Trumpas aprašymas:

Modelio numeris:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5 mΩ

ID:-49A

Kanalas:Dvigubas P kanalas

Paketas:DFN5*6-8

Vasariškas produktas:WSD30L88DN56 MOSFET įtampa -30V, srovė -49A, varža 11,5mΩ, kanalas dvigubas P kanalas, o pakuotė DFN5*6-8.

Programos:Elektroninės cigaretės, bevielis įkrovimas, varikliai, dronai, medicininė priežiūra, automobiliniai įkrovikliai, valdikliai, skaitmeniniai gaminiai, smulki buitinė technika, buitinė elektronika.

Atsiųskite mums el PDF

Produkto detalė

Taikymas

Produkto etiketės

Bendras aprašymas

WSD30L88DN56 yra didžiausio našumo tranšėjos dvigubas P-Ch MOSFET su ypač dideliu ląstelių tankiu, kuris užtikrina puikų RDSON ir vartų įkrovimą daugeliui sinchroninių keitiklių programų.WSD30L88DN56 atitinka RoHS ir ekologiško produkto reikalavimus, 100 % EAS garantuojamas ir patvirtintas visų funkcijų patikimumas.

funkcijos

Pažangi didelio ląstelių tankio tranšėjos technologija, ypač mažas vartų įkrovimas, puikus CdV/dt efekto sumažėjimas, 100% EAS garantija, galimas žalias įrenginys.

Programos

Aukšto dažnio pakrovimo taško sinchroninis, „Buck“ keitiklis, skirtas MB/NB/UMPC/VGA, tinklo DC-DC maitinimo sistema, apkrovos jungiklis, elektroninės cigaretės, belaidis įkrovimas, varikliai, dronai, medicininė priežiūra, automobilių įkrovikliai, valdikliai, skaitmeniniai gaminių, smulkios buitinės technikos, buitinės elektronikos.

atitinkamas medžiagos numeris

AOS

Svarbūs parametrai

Simbolis	Parametras	Įvertinimas	Vienetai
VDS	Drenažo šaltinio įtampa	-30	V
VGS	Vartų šaltinio įtampa	±20	V
ID@TC=25 ℃	Nuolatinė nutekėjimo srovė, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100 ℃	Nuolatinė nutekėjimo srovė, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Impulsinė nutekėjimo srovė2	-120	A
EAS	Vieno impulso lavinos energija3	68	mJ
PD@TC=25 ℃	Bendras galios išsklaidymas4	40	W
TSTG	Laikymo temperatūros diapazonas	-55-150	℃
TJ	Darbinės sankryžos temperatūros diapazonas	-55-150	℃