WSD6040DN56 N kanalas 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Produktai

WSD6040DN56 N kanalas 60V 36A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Trumpas aprašymas:

Dalies numeris:WSD6040DN56

BVDSS:60V

ID:36A

RDSON:14 mΩ 

Kanalas:N kanalas

Paketas:DFN5X6-8


Produkto detalė

Taikymas

Produkto etiketės

WINSOK MOSFET produktų apžvalga

WSD6040DN56 MOSFET įtampa 60V, srovė 36A, varža 14mΩ, kanalas N kanalas, paketas DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET taikymo sritys

E-cigaretės MOSFET, bevielis įkrovimas MOSFET, varikliai MOSFET, dronai MOSFET, medicininė priežiūra MOSFET, automobiliniai įkrovikliai MOSFET, valdikliai MOSFET, skaitmeniniai gaminiai MOSFET, smulki buitinė technika MOSFET, buitinė elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET atitinka kitų prekės ženklų medžiagų numerius

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL8DN6LF6AG.PANJIT MOSFET PSMQC12N6LS1.POTENS Puslaidininkinis MOSFET PDC6964X.

MOSFET parametrai

Simbolis

Parametras

Įvertinimas

Vienetai

VDS

Drenažo šaltinio įtampa

60

V

VGS

Vartų šaltinio įtampa

±20

V

ID

Nuolatinė nutekėjimo srovė TC=25°C

36

A

TC=100°C

22

ID

Nuolatinė nutekėjimo srovė TA=25°C

8.4

A

TA=100°C

6.8

IDMa

Impulsinė nutekėjimo srovė TC=25°C

140

A

PD

Maksimalus galios išsklaidymas TC=25°C

37.8

W

TC=100°C

15.1

PD

Maksimalus galios išsklaidymas TA=25°C

2.08

W

TA=70°C

1.33

IAS c

Lavinos srovė, vienas impulsas

L = 0,5 mH

16

A

EASc

Vieno impulso lavinos energija

L = 0,5 mH

64

mJ

IS

Diodo nuolatinė tiesioginė srovė

TC=25°C

18

A

TJ

Maksimali sankryžos temperatūra

150

TSTG

Laikymo temperatūros diapazonas

-55-150

RθJAb

Šiluminės varžos jungtis su aplinka

Pastovi būsena

60

/W

RθJC

Šiluminė varža – jungtis prie korpuso

Pastovi būsena

3.3

/W

 

Simbolis

Parametras

Sąlygos

Min.

Tip.

Maks.

Vienetas

Statinis        

V(BR)DSS

Nutekėjimo šaltinio gedimo įtampa

VGS = 0V, ID = 250μA

60    

V

IDSS

Nulinės vartų įtampos išleidimo srovė

VDS = 48 V, VGS = 0 V

   

1

µA

 

TJ=85°C

   

30

IGSS

Vartų nuotėkio srovė

VGS = ±20V, VDS = 0V

    ±100

nA

Apie charakteristikas        

VGS(TH)

Vartų slenkstinė įtampa

VGS = VDS, IDS = 250 µA

1

1.6

2.5

V

RDS (įjungta)d

Nutekėjimo šaltinio įjungimo pasipriešinimas

VGS = 10V, ID = 25A

  14 17.5

VGS = 4,5V, ID = 20A

  19

22

Perjungimas        

Qg

Visas vartų mokestis

VDS = 30V

VGS=10V

ID=25A

  42  

nC

Qgs

Gate-Sour Charge  

6.4

 

nC

Qgd

Vartų nutekėjimo mokestis  

9.6

 

nC

td (įjungta)

Įjungimo delsos laikas

VGEN = 10V

VDD = 30V

ID=1A

RG=6Ω

RL=30Ω

  17  

ns

tr

Įjungimo pakilimo laikas  

9

 

ns

td (išjungta)

Išjungimo delsos laikas   58  

ns

tf

Rudens išjungimo laikas   14  

ns

Rg

Gat pasipriešinimas

VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz

 

1.5

 

Ω

Dinamiškas        

Ciss

Talpa

VGS=0V

VDS=30V f=1MHz

 

2100

 

pF

Coss

Išėjimo talpa   140  

pF

Crss

Atvirkštinio perdavimo talpa   100  

pF

Nutekėjimo šaltinio diodo charakteristikos ir didžiausios vertės        

IS

Nepertraukiamo šaltinio srovė

VG=VD=0V, jėgos srovė

   

18

A

ISM

Impulsinio šaltinio srovė3    

35

A

VSDd

Diodo priekinė įtampa

ISD = 20A, VGS = 0V

 

0.8

1.3

V

trr

Atvirkštinis atkūrimo laikas

ISD=25A, dlSD/dt=100A/µs

  27  

ns

QRr

Atvirkštinis atkūrimo mokestis   33  

nC


  • Ankstesnis:
  • Kitas:

  • Parašykite savo žinutę čia ir atsiųskite mums