WSD6060DN56 N kanalas 60V 65A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Trumpas aprašymas:

Dalies numeris:WSD6060DN56

BVDSS:60V

ID:65A

RDSON:7,5 mΩ

Kanalas:N kanalas

Paketas:DFN5X6-8

Atsiųskite mums el PDF

Produkto detalė

Taikymas

Produkto etiketės

WINSOK MOSFET produktų apžvalga

WSD6060DN56 MOSFET įtampa 60V, srovė 65A, varža 7,5mΩ, kanalas N kanalas, paketas DFN5X6-8.

WINSOK MOSFET taikymo sritys

E-cigaretės MOSFET, bevielis įkrovimas MOSFET, varikliai MOSFET, dronai MOSFET, medicininė priežiūra MOSFET, automobiliniai įkrovikliai MOSFET, valdikliai MOSFET, skaitmeniniai gaminiai MOSFET, smulki buitinė technika MOSFET, buitinė elektronika MOSFET.

WINSOK MOSFET atitinka kitų prekės ženklų medžiagų numerius

STMicroelectronics MOSFET STL5DN6F7.PANJIT MOSFET PSMQC73N6NS1.POTENS Puslaidininkinis MOSFET PDC696X.

MOSFET parametrai

Simbolis	Parametras		Įvertinimas	Vienetas
Bendri įvertinimai
VDSS	Drenažo šaltinio įtampa		60	V
VGSS	Vartų šaltinio įtampa		±20	V
T_J	Maksimali sankryžos temperatūra		150	°C
TSTG	Laikymo temperatūros diapazonas		-55-150	°C
I_S	Diodo nuolatinė tiesioginė srovė	T_c=25°C	30	A
ID	Nuolatinė nutekėjimo srovė	T_c=25°C	65	A
ID	Nuolatinė nutekėjimo srovė	T_c=70°C	42	A
Aš DM b	Išbandyta impulsinė nutekėjimo srovė	T_c=25°C	250	A
P_D	Maksimalus galios išsklaidymas	T_c=25°C	62.5	W
P_D	Maksimalus galios išsklaidymas	T_C=70°C	38	W
R_qJL	Šiluminė varža – jungtis su švinu	Pastovi būsena	2.1	°C/W
RqJA	Šiluminė varža – jungtis su aplinka	t £ 10s	45	°C/W
RqJA	Šiluminė varža – jungtis su aplinka	Pastovi būsena^b	50	°C/W
AŠ AS^d	Lavinos srovė, vienas impulsas	L = 0,5 mH	18	A
E AS d	Lavinos energija, vienas impulsas	L = 0,5 mH	81	mJ

Simbolis	Parametras	Bandymo sąlygos		Min.	Tip.	Maks.	Vienetas
Statinės charakteristikos
BV_DSS	Nutekėjimo šaltinio gedimo įtampa	V_GS= 0 V, I_DS= 250mA		60	-	-	V
IDSS	Nulinės vartų įtampos išleidimo srovė	V_DS=48V, V_GS= 0 V		-	-	1	mA
IDSS	Nulinės vartų įtampos išleidimo srovė						mA
			T_J=85°C	-	-	30
VGS(th)	Vartų slenkstinė įtampa	V_DS=V_GS, aš_DS= 250mA		1.2	1.5	2.5	V
IGSS	Vartų nuotėkio srovė	V_GS=±20V, V_DS= 0 V		-	-	±100	nA
R DS (ĮJUNGTA) 3	Nutekėjimo šaltinio įjungimo pasipriešinimas	V_GS=10V, I_DS=20A		-	7.5	10	m W
R DS (ĮJUNGTA) 3	Nutekėjimo šaltinio įjungimo pasipriešinimas	V_GS= 4,5 V, I_DS=15 A		-	10	15	m W
Diodo charakteristikos
V SD	Diodo priekinė įtampa	I_SD=1A, V_GS= 0 V		-	0,75	1.2	V
t_rr	Atvirkštinis atkūrimo laikas	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	42	-	ns
Q_rr	Atvirkštinis atkūrimo mokestis	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs		-	36	-	nC
Dinaminės charakteristikos^3,4
R_G	Vartų pasipriešinimas	V_GS=0V,V_DS=0V,F=1MHz		-	1.5	-	W
C_iss	Įvesties talpa	V_GS= 0 V, V_DS=30V, F = 1,0 MHz Ω		-	1340 m	-	pF
C_oss	Išėjimo talpa			-	270	-
C_rss	Atvirkštinio perdavimo talpa			-	40	-
td (ON)	Įjungimo delsos laikas	VDD=30V, IDS=1A, VGEN = 10V, RG=6Ω.		-	15	-	ns
t_r	Įjungimo pakilimo laikas			-	6	-
td (IŠJUNGTA)	Išjungimo delsos laikas			-	33	-
t_f	Rudens išjungimo laikas			-	30	-
Vartų įkrovos charakteristikos ^3,4
Q_g	Visas vartų mokestis	V_DS=30V, V_GS= 4,5 V, I_DS=20A		-	13	-	nC
Q_g	Visas vartų mokestis	V_DS=30V, V_GS=10V, I_DS=20A		-	27	-
Q_gth	Slenksčio vartų mokestis			-	4.1	-
Q_gs	Vartų šaltinio mokestis			-	5	-
Q_gd	Vartų nutekėjimo mokestis			-	4.2	-