MOSFET charakteristikos ir atsargumo priemonės naudojant

I. MOSFET apibrėžimas

Kaip įtampa varomi didelės srovės įrenginiai, MOSFET turi daug pritaikymų grandinėse, ypač maitinimo sistemose. MOSFET korpuso diodai, dar žinomi kaip parazitiniai diodai, nėra aptinkami integrinių grandynų litografijoje, tačiau yra atskiruose MOSFET įrenginiuose, kurie užtikrina atvirkštinę apsaugą ir srovės tęstinumą, kai yra varomas didelėmis srovėmis ir kai yra indukcinės apkrovos.

Dėl šio diodo MOSFET įrenginio negalima tiesiog matyti besijungiančio grandinėje, kaip įkrovimo grandinėje, kai įkrovimas baigtas, maitinimas nutrūksta ir akumuliatorius pasisuka atgal, o tai dažniausiai yra nepageidaujamas rezultatas.

MOSFET charakteristikos ir atsargumo priemonės naudojant

Bendras sprendimas yra pridėti diodą gale, kad būtų išvengta atvirkštinio maitinimo, tačiau diodo charakteristikos lemia, kad reikia 0,6–1 V tiesioginės įtampos kritimo, o tai sukelia rimtą šilumos generavimą esant didelėms srovėms ir sukelia nuostolių. energijos kiekį ir sumažinti bendrą energijos vartojimo efektyvumą. Kitas būdas yra sujungti MOSFET, naudojant mažą MOSFET varžą, kad būtų pasiektas energijos vartojimo efektyvumas.

Reikėtų pažymėti, kad po laidumo MOSFET yra nekryptinis, taigi po slėgio laidumo, jis yra lygus su laidu, tik varža, nėra įtampos kritimo įjungimo būsenoje, paprastai prisotinta įjungimo varža keliems milioomams.savalaikiai miliomai, ir nekryptinė, leidžianti perduoti nuolatinės ir kintamosios srovės maitinimą.

II. MOSFET charakteristikos

1, MOSFET yra įtampa valdomas įtaisas, didelėms srovėms valdyti nereikia varymo pakopos;

2、Didelė įėjimo varža;

3, platus veikimo dažnių diapazonas, didelis perjungimo greitis, maži nuostoliai

4, kintamoji patogi didelė varža, mažas triukšmas.

5,Daugkartinis lygiagretus naudojimas, padidinkite išėjimo srovę

Antra, MOSFET naudojimas atliekant atsargumo priemones

1, siekiant užtikrinti saugų MOSFET naudojimą, projektuojant liniją, neturėtų viršyti dujotiekio galios sklaidos, didžiausios nuotėkio šaltinio įtampos, vartų šaltinio įtampos ir srovės bei kitų parametrų ribinių verčių.

2, turi būti naudojami įvairūs MOSFET tipaibūti griežtai viduje pagal reikiamą šališkumo prieigą prie grandinės, kad būtų laikomasi MOSFET poslinkio poliškumo.

3. Montuodami MOSFET, atkreipkite dėmesį į montavimo padėtį, kad nebūtų arti kaitinimo elemento. Siekiant išvengti jungiamųjų detalių vibracijos, korpusas turi būti priveržtas; Kaiščio laidus lenkti reikia didesniu nei 5 mm šaknies dydžiu, kad kaištis nenusilenktų ir nepratekėtų.

4, dėl itin didelės įvesties varžos, MOSFET turi būti trumpam ištraukti iš kaiščio transportavimo ir sandėliavimo metu ir supakuoti su metaliniu ekranavimu, kad būtų išvengta išorinio sukelto galimo vartų gedimo.

5. Jungtinių MOSFET vartų įtampa negali būti apverčiama ir gali būti saugoma atviros grandinės būsenoje, tačiau izoliuotų vartų MOSFET įėjimo varža yra labai didelė, kai jie nenaudojami, todėl kiekvienas elektrodas turi būti trumpai jungtas. Lituodami izoliuotų vartų MOSFET, laikykitės šaltinio-nuleidimo užtvaro tvarkos ir lituokite išjungę maitinimą.

Norėdami užtikrinti saugų MOSFET naudojimą, turite visiškai suprasti MOSFET charakteristikas ir atsargumo priemones, kurių reikia imtis naudojant procesą. Tikiuosi, kad aukščiau pateikta santrauka jums padės.