De rol van vermogens-MOSFET-apparaten

GaliaMOSFET „MOSFET“ yra anglų kalbos „Metal Oxide Semiconductor Field Effect Tranzistor“ (metalo oksido puslaidininkio lauko efekto tranzistorius). Het wordt gebruikt voor vermogen eindtrap apparaat, de sleutel door het metal materialaal, SiO2 of SiN en halfgeleidermaterialen gemaakt van dre grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende strroom kan output, en ze zijn ingedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kanworden onderverdeeld in verbeterde type en licht kaneld word in verbeterde type N-kanalo tipas ir P-kanalo tipas.

Power MOSFET formuluotė per het algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Per het algemeen kiezenMOSFET gamintojas de parametras RDS(ON) om de aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; RDS(ON) yra ook een kritieke apparaatkarakteristiek voor ORing FET-toepassingen. Duomenų informacijos vadovas apibrėžiamas RDS(ON) su vartų vartų, VGS, stulpelio durų vermogensschakelaar vloeit ryšiu, RDS(ON) yra santykinis statistinis gegevensparameter su voldoende vartų pavara.

Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. Bij het ontwerp van een voeding moet elke schakelende voeding vaak meerdere ORingMOSFET parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroomi naar de belasting te leiden. In veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in serie schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.

Naast RDS(ON), in het hele process van MOSFET Selectie, zijn er ook een aantal MOSFET parametrai zijn ook zeer kritisch voor de voeding ontwerpers. Dar gevallen moeten ontwerpers goed letten op de SOA-grafiek in de Data Information Guide, die de correlatie tussen drainstroom en drain-bron bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en strom waarbij de MOSFET veilig kan werken.

Aukščiau nurodytų tipų apkrovos sąlygoms, įvertinę (arba išmatavę) didesnę darbinę įtampą ir palikę nuo 20% iki 30%, galite nurodyti reikiamą MOSFET vardinės srovės VDS reikšmę. Čia reikia pasakyti, kad, siekiant geresnių sąnaudų ir sklandesnių charakteristikų, galima pasirinkti kintamosios srovės serijos srovės diodus ir induktorius, uždarydami srovės valdymo kontūro sudėtį, išlaisvinti iš indukcinės srovės kinetinės energijos, kad išlaikytų MOSFET. vardinė srovė yra aiški, galima išskaityti srovę. Tačiau čia reikia atsižvelgti į du parametrus: vienas yra nuolatinio veikimo srovės vertė ir didžiausia vieno impulso srovės smailės vertė (Spike ir Surge), šie du parametrai, norint nuspręsti, kiek turėtumėte pasirinkti vardinę dabartinė vertė.