Vartų talpa, įjungimo varža ir kiti MOSFET parametrai

I. Vartų talpa

Vartų talpa daugiausia apima įvesties talpą (Ciss), išėjimo talpą (Coss) ir atvirkštinio perdavimo talpą (Crss, taip pat žinoma kaip Millerio talpa).

Įvesties talpa (ciss):

APIBRĖŽIMAS: Įvesties talpa yra bendra talpa tarp užtvaro ir šaltinio bei nutekėjimo, kurią sudaro vartų šaltinio talpa (Cgs) ir užtvaro išleidimo talpa (Cgd), sujungta lygiagrečiai, ty Ciss = Cgs + Cgd.

Funkcija: Įvesties talpa turi įtakos MOSFET perjungimo greičiui. Kai įvesties talpa įkraunama iki slenkstinės įtampos, įrenginį galima įjungti; išsikrovęs iki tam tikros vertės, įrenginį galima išjungti. Todėl vairavimo grandinė ir Ciss turi tiesioginės įtakos įrenginio įjungimo ir išjungimo delsai.

Išėjimo talpa (Coss):

Apibrėžimas: Išėjimo talpa yra bendra talpa tarp kanalizacijos ir šaltinio, kurią sudaro lygiagrečiai nutekėjimo šaltinio talpa (Cds) ir užtvaro nutekėjimo talpa (Cgd), ty Coss = Cds + Cgd.

Vaidmuo: minkštojo perjungimo programose Coss yra labai svarbus, nes gali sukelti rezonansą grandinėje.

Atbulinės eigos perdavimo talpa (Crss):

Apibrėžimas: atvirkštinio perdavimo talpa yra lygi vartų išleidimo talpai (Cgd) ir dažnai vadinama Millerio talpa.

Vaidmuo: atvirkštinio perdavimo talpa yra svarbus jungiklio kilimo ir kritimo laiko parametras, taip pat turi įtakos išjungimo delsos laikui. Talpos vertė mažėja didėjant nutekėjimo šaltinio įtampai.

II. Įjungtas pasipriešinimas (Rds(on))

Apibrėžimas: Įjungimo varža yra varža tarp įjungto MOSFET šaltinio ir nutekėjimo tam tikromis sąlygomis (pvz., specifinė nuotėkio srovė, vartų įtampa ir temperatūra).

Įtakojantys veiksniai: Įjungimo varža nėra fiksuota vertė, ją veikia temperatūra, kuo aukštesnė temperatūra, tuo didesnis Rds(on). Be to, kuo didesnė atsparumo įtampa, tuo storesnė vidinė MOSFET struktūra, tuo didesnė atitinkama įjungimo varža.

Svarbu: projektuojant perjungimo maitinimo šaltinį arba tvarkyklės grandinę, būtina atsižvelgti į MOSFET varžą įjungimui, nes srovė, tekanti per MOSFET, sunaudos energiją šiai varžai, o ši sunaudojamos energijos dalis yra įjungta. atsparumo praradimas. Pasirinkus MOSFET, turintį mažą varžą, galima sumažinti įjungimo varžos praradimą.

Trečia, kiti svarbūs parametrai

Be vartų talpos ir įjungimo varžos, MOSFET turi keletą kitų svarbių parametrų, tokių kaip:

V(BR)DSS (nutekėjimo šaltinio gedimo įtampa):Drenažo šaltinio įtampa, kuriai esant srovė, tekanti per kanalizaciją, pasiekia tam tikrą vertę esant tam tikrai temperatūrai ir esant trumpam užtvarų šaltiniui. Viršijus šią vertę, vamzdis gali būti pažeistas.

VGS(th) (slenkstinė įtampa):Vartų įtampa, reikalinga tam, kad tarp šaltinio ir nutekėjimo pradėtų formuotis laidus kanalas. Standartinių N kanalų MOSFET VT yra apie 3–6 V.

ID (didžiausia nuolatinio nutekėjimo srovė):Didžiausia nuolatinė nuolatinės srovės srovė, kurią gali leisti lustas esant didžiausiai vardinei sandūros temperatūrai.

IDM (maksimali impulsinė nutekėjimo srovė):Atspindi impulsinės srovės lygį, kurį gali valdyti įrenginys, o impulsinė srovė yra daug didesnė nei nuolatinė nuolatinė srovė.

PD (didžiausias galios išsklaidymas):prietaisas gali išsklaidyti maksimalų energijos suvartojimą.

Apibendrinant galima pasakyti, kad vartų talpa, įjungimo varža ir kiti MOSFET parametrai yra labai svarbūs jo veikimui ir pritaikymui, todėl juos reikia pasirinkti ir suprojektuoti pagal konkrečius taikymo scenarijus ir reikalavimus.