Kaip veikia MOSFET?

1, MOSFETįžanga

Lauko efekto tranzistoriaus santrumpa (FET)) pavadinimas MOSFET. Nedidelis skaičius nešėjų dalyvauja šilumos laidumu, taip pat žinomas kaip kelių polių tranzistorius. Jis priklauso įtampos valdymo tipo pussuperlaidininkiniam mechanizmui. Yra didelė išėjimo varža (10^8 ~ 10^9Ω), mažas triukšmas, mažas energijos suvartojimas, statinis diapazonas, lengvai integruojamas, nėra antrojo gedimo reiškinio, jūrinio draudimo užduotis ir kiti privalumai dabar pasikeitė. stipriųjų bendradarbių dvipolis tranzistorius ir galios sandūros tranzistorius.

2, MOSFET charakteristikos

1, MOSFET yra įtampos valdymo įtaisas, per VGS (vartų šaltinio įtampa) valdymo ID (nuolatinė srovė);

2, MOSFETišėjimo nuolatinės srovės polius yra mažas, todėl išėjimo varža yra didelė.

3, tai yra nedidelio skaičiaus nešiklių taikymas šilumai praleisti, todėl jis turi geresnį stabilumo matą;

4, jis susideda iš redukcijos kelio elektros redukcijos koeficientas yra mažesnis nei triodas susideda iš mažinimo kelio redukcijos koeficientas;

5, MOSFET apsauga nuo švitinimo;

6, nes nėra klaidingos oligonų dispersijos veiklos, kurią sukelia išsklaidytos triukšmo dalelės, todėl triukšmas yra mažas.

3, MOSFET užduoties principas

MOSFETveikimo principas vienu sakiniu yra "nutekėjimas – šaltinis tarp ID, tekančio per vartų kanalą, ir kanalo tarp pn sandūros, suformuoto dėl atvirkštinio vartų įtampos pagrindinio ID poslinkio", tiksliau, ID teka per plotį kelio, ty kanalo skerspjūvio ploto, yra pn sandūros atvirkštinio poslinkio pokytis, kuris sukuria išeikvojimo sluoksnį. Išplėstinės variacijos valdymo priežastis. Neprisotintoje jūroje VGS=0, kadangi pereinamojo sluoksnio išsiplėtimas nėra labai didelis, atsižvelgiant į VDS magnetinio lauko pridėjimą tarp nutekėjimo šaltinio, kai kurie šaltinio jūroje esantys elektronai yra atitraukiami nutekėjimas, ty yra DC ID veikla nuo nutekėjimo iki šaltinio. Vidutinis sluoksnis padidintas nuo vartų iki kanalizacijos, todėl visas kanalo korpusas sudaro blokavimo tipą, ID pilnas. Pavadinkite šią formą žiupsneliu. Simbolizuojamas pereinamasis sluoksnis į visos kliūties kanalą, o ne nuolatinė srovė.

Kadangi pereinamame sluoksnyje nėra laisvo elektronų judėjimo ir skylių, idealioje formoje jis pasižymi beveik izoliacinėmis savybėmis, o bendrajai srovei sunku tekėti. Bet tada elektrinis laukas tarp drenažo – šaltinio, tiesą sakant, dviejų pereinamųjų sluoksnių kontaktinio nutekėjimo ir vartų poliaus šalia apatinės dalies, nes dreifo elektrinis laukas traukia greitaeigius elektronus per pereinamąjį sluoksnį. Dreifo lauko intensyvumas yra beveik pastovus, todėl ID scena yra pilna.

Grandinėje naudojamas patobulinto P kanalo MOSFET ir patobulinto N kanalo MOSFET derinys. Kai įvestis yra žema, P-kanalo MOSFET laidi ir išėjimas prijungiamas prie teigiamo maitinimo šaltinio gnybto. Kai įvestis yra aukšta, N kanalo MOSFET laidai, o išėjimas prijungiamas prie maitinimo šaltinio įžeminimo. Šioje grandinėje P kanalo MOSFET ir N kanalo MOSFET visada veikia priešingose ​​būsenose, o jų fazės įėjimai ir išėjimai yra atvirkščiai.