Šiais laikais, sparčiai tobulėjant mokslui ir technologijoms, puslaidininkiai naudojami vis daugiau pramonės šakų, kurioseMOSFET taip pat laikomas labai paplitusiu puslaidininkiniu įrenginiu, kitas žingsnis yra suprasti, kuo skiriasi dvipolio galios krištolo tranzistoriaus charakteristikos ir išėjimo galios MOSFET.
1, darbo būdas
MOSFET yra darbas, reikalingas siekiant skatinti darbinę įtampą, schemos paaiškina gana paprasta, skatina mažų galią; galios krištolo tranzistorius yra galios srautas, siekiant skatinti programos dizainas yra sudėtingesnis, skatinti specifikacijos sunku skatinti specifikacijos pasirinkimas kels pavojų maitinimo bendras perjungimo greitis.
2, bendras maitinimo šaltinio perjungimo greitis
MOSFET veikiamas temperatūros yra mažas, maitinimo šaltinio perjungimo išėjimo galia gali užtikrinti, kad daugiau nei 150KHz; galios krištolo tranzistorius turi labai nedaug laisvo įkrovimo saugojimo laiko, riboja jo maitinimo šaltinio perjungimo greitį, tačiau jo išėjimo galia paprastai yra ne didesnė kaip 50 kHz.
3, Saugi darbo zona
Maitinimas MOSFET neturi antrinio pagrindo, o saugi darbo zona yra plati; galios kristalo tranzistorius turi antrinę bazinę situaciją, kuri riboja saugią darbo sritį.
4 、 Elektros laidininko darbo reikalavimas darbinė įtampa
GaliaMOSFET priklauso aukštos įtampos tipui, laidumo darbo reikalavimas darbinė įtampa yra didesnė, yra teigiamas temperatūros koeficientas; galios krištolinis tranzistorius, nesvarbu, kiek pinigų yra atsparus darbinei darbo įtampai, elektros laidininko darbinė darbo įtampa yra mažesnė ir turi neigiamą temperatūros koeficientą.
5, didžiausias galios srautas
Maitinimo MOSFET perjungimo maitinimo grandinėje maitinimo grandinės grandinės maitinimo grandinė kaip maitinimo jungiklis, veikiant ir stabiliai dirbant viduryje, didžiausias galios srautas yra mažesnis; ir galios krištolo tranzistorius veikia ir stabilus darbas viduryje, didžiausias galios srautas yra didesnis.
6, gaminio kaina
Galios MOSFET kaina yra šiek tiek didesnė; galios krištolo triodo kaina yra šiek tiek mažesnė.
7, prasiskverbimo efektas
Power MOSFET neturi prasiskverbimo efekto; galios kristalų tranzistorius turi prasiskverbimo efektą.
8. Perjungimo praradimas
MOSFET perjungimo nuostoliai nėra dideli; galios kristalo tranzistoriaus perjungimo nuostoliai yra palyginti dideli.
Be to, didžioji dauguma galios MOSFET integruoto amortizacinio diodo, o dvipolio galios krištolinio tranzistoriaus beveik nėra integruoto amortizacinio diodo. MOSFET amortizacinis diodas taip pat gali būti universalus magnetas, perjungiantis maitinimo grandines magneto ritės, suteikiančios galios koeficiento kampą. galios srauto saugos kanalo. Lauko efekto vamzdis amortizaciniame diodo visame išjungimo procese su bendruoju diodu kaip atvirkštinio atkūrimo srovės srauto egzistavimą, šiuo metu diodas, viena vertus, imtis nutekėjimo - šaltinio polius teigiamas vidurys esminis. Kita vertus, darbinės įtampos ir atvirkštinės atkūrimo srovės poreikių padidėjimas.
Paskelbimo laikas: 2024-05-24
