Įvadas į dažniausiai naudojamų didelės galios MOSFET veikimo principą

Šiandien apie dažniausiai naudojamą didelės galiosMOSFETtrumpai pristatyti jos veikimo principą. Pažiūrėkite, kaip ji realizuoja savo darbą.

 

Metalas-oksidas-puslaidininkis, tai yra, metalo oksidas-puslaidininkis, tiksliai, šis pavadinimas apibūdina MOSFET struktūrą integriniame grandinėje, tai yra: tam tikroje puslaidininkinio įtaiso struktūroje, sujungtoje su silicio dioksidu ir metalu, susidaro susidarymas. nuo vartų.

 

MOSFET šaltinis ir nutekėjimas yra priešingi, abi yra N tipo zonos, suformuotos P tipo užpakalinėje sienelėje. Daugeliu atvejų dvi sritys yra vienodos, net jei abu reguliavimo galai neturės įtakos įrenginio veikimui, toks įrenginys laikomas simetrišku.

 

Klasifikacija: pagal kanalo medžiagos tipą ir izoliuotų vartų tipą kiekviename N ir P kanale; pagal laidųjį režimą: MOSFET skirstomas į išeikvojimą ir padidinimą, taigi MOSFET skirstomas į N kanalų išeikvojimą ir patobulinimą; P-kanalo išeikvojimas ir keturių pagrindinių kategorijų patobulinimas.

MOSFET veikimo principas – struktūrinės charakteristikosMOSFETjis praleidžia tik vieną poliškumo nešiklį (polis), dalyvaujantį laidžiajame, yra vienpolis tranzistorius. Laidumo mechanizmas yra toks pat kaip ir mažos galios MOSFET, tačiau struktūra turi didelį skirtumą, mažos galios MOSFET yra horizontalus laidus įtaisas, didžioji dalis galios MOSFET vertikalios laidžios struktūros, taip pat žinoma kaip VMOSFET, kuri labai pagerina MOSFET. įrenginio atsparumas įtampai ir srovei. Pagrindinis bruožas yra tas, kad tarp metalinių vartų ir kanalo yra silicio dioksido izoliacijos sluoksnis, todėl turi didelę įėjimo varžą, vamzdis praleidžia dviejose didelėse koncentracijose n difuzijos zonoje, kad susidarytų n tipo laidus kanalas. n kanalų patobulinimo MOSFET turi būti pritaikyti vartams su tiesioginiu poslinkiu ir tik tada, kai vartų šaltinio įtampa yra didesnė už slenkstinę laidžiojo kanalo įtampą, kurią sukuria n kanalo MOSFET. n kanalų išeikvojimo tipo MOSFET yra n kanalų MOSFET, kuriuose laidūs kanalai generuojami, kai netaikoma vartų įtampa (vartų šaltinio įtampa lygi nuliui).

 

MOSFET veikimo principas yra valdyti „sukeliamo krūvio“ kiekį naudojant VGS, kad būtų pakeista „indukuoto krūvio“ suformuoto laidžiojo kanalo būklė, o tada pasiekti nutekėjimo srovės valdymo tikslą. Vamzdžių gamyboje per izoliacinio sluoksnio procesą atsiranda daug teigiamų jonų, todėl kitoje sąsajos pusėje gali būti sukeltas daugiau neigiamo krūvio, šie neigiami krūviai į didelį priemaišų įsiskverbimą į N. regione, prijungtame prie laidžiojo kanalo formavimo, net VGS = 0 taip pat yra didelis nuotėkio srovės ID. keičiant vartų įtampą, taip pat keičiasi kanale indukuojamo krūvio dydis, o kanalo ir kinta laidžio kanalo plotis ir siaurumas, taigi ir nuotėkio srovės ID su vartų įtampa. srovės ID kinta priklausomai nuo vartų įtampos.

 

Dabar taikymasMOSFETlabai pagerino žmonių mokymąsi, darbo efektyvumą, kartu pagerino mūsų gyvenimo kokybę. Mes turime racionalesnį supratimą apie tai per paprastą supratimą. Jis bus naudojamas ne tik kaip įrankis, daugiau supratimo apie jo ypatybes, darbo principą, kuris mums taip pat suteiks daug malonumo.