MOSFETai (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) dažnai laikomi visiškai valdomais įrenginiais. Taip yra todėl, kad MOSFET veikimo būsena (įjungta arba išjungta) yra visiškai valdoma vartų įtampa (Vgs) ir nepriklauso nuo bazinės srovės, kaip dvipolio tranzistoriaus (BJT) atveju.
MOSFET vartų įtampa Vgs nustato, ar tarp šaltinio ir nutekėjimo susidaro laidus kanalas, taip pat laidžiojo kanalo plotį ir laidumą. Kai Vgs viršija slenkstinę įtampą Vt, susidaro laidus kanalas ir MOSFET pereina į įjungimo būseną; kai Vgs nukrenta žemiau Vt, laidus kanalas išnyksta ir MOSFET yra atjungimo būsenoje. Šis valdymas yra visiškai valdomas, nes vartų įtampa gali savarankiškai ir tiksliai valdyti MOSFET veikimo būseną, nepasikliaujant kitais srovės ar įtampos parametrais.
Priešingai, pusiau valdomų įrenginių (pvz., tiristorių) veikimo būseną įtakoja ne tik valdymo įtampa ar srovė, bet ir kiti veiksniai (pvz., anodo įtampa, srovė ir kt.). Dėl to visiškai valdomi įrenginiai (pvz., MOSFET) paprastai pasižymi geresniu valdymo tikslumu ir lankstumu.
Apibendrinant galima teigti, kad MOSFET yra visiškai valdomi įrenginiai, kurių veikimo būsena yra visiškai kontroliuojama vartų įtampa ir pasižymi dideliu tikslumu, dideliu lankstumu ir mažu energijos suvartojimu.
Paskelbimo laikas: 2024-09-20
