Lauko efekto tranzistorius sutrumpintas kaipMOSFET.Yra du pagrindiniai tipai: jungiamieji lauko efekto vamzdžiai ir metalo oksido puslaidininkiniai lauko efekto vamzdžiai. MOSFET taip pat žinomas kaip vienpolis tranzistorius, kurio laidumą užtikrina dauguma nešiklių. Jie yra įtampa valdomi puslaidininkiniai įtaisai. Dėl didelio įėjimo varžos, mažo triukšmo, mažo energijos suvartojimo ir kitų savybių, todėl jis yra stiprus bipolinių tranzistorių ir galios tranzistorių konkurentas.
I. Pagrindiniai MOSFET parametrai
1, DC parametrai
Prisotinimo nutekėjimo srovė gali būti apibrėžta kaip nutekėjimo srovė, atitinkanti, kai įtampa tarp užtvaro ir šaltinio yra lygi nuliui, o įtampa tarp nutekėjimo ir šaltinio yra didesnė už suspaudimo įtampą.
Suspaudimo įtampa UP: UGS reikalinga sumažinti ID iki mažos srovės, kai UDS yra tikras;
Įjungimo įtampa UT: UGS reikalinga tam, kad ID atitiktų tam tikrą vertę, kai UDS yra tikras.
2, kintamosios srovės parametrai
Žemo dažnio translaidumas gm : apibūdina vartų ir šaltinio įtampos valdymo poveikį nutekėjimo srovei.
Tarppolių talpa: talpa tarp trijų MOSFET elektrodų, kuo mažesnė vertė, tuo geresnis našumas.
3. Ribiniai parametrai
Nutekėjimo, šaltinio gedimo įtampa: kai nutekėjimo srovė smarkiai pakyla, UDS sukels laviną.
Vartų gedimo įtampa: sankryžos lauko efekto vamzdis normaliai veikia, vartai ir šaltinis tarp PN jungties atvirkštinio poslinkio būsenoje, srovė per didelė, kad sukeltų gedimą.
II. CharakteristikosMOSFET
MOSFET turi stiprinimo funkciją ir gali sudaryti sustiprintą grandinę. Palyginti su triodu, jis turi šias charakteristikas.
(1) MOSFET yra įtampos valdomas įtaisas, o potencialą valdo UGS;
(2) MOSFET įvesties srovė yra labai maža, todėl jos įvesties varža yra labai didelė;
(3) Temperatūros stabilumas yra geras, nes laidumui užtikrinti naudojami pagrindiniai nešikliai;
(4) jos stiprinimo grandinės įtampos stiprinimo koeficientas yra mažesnis nei triodo;
(5) Jis yra atsparesnis spinduliuotei.
trečia,MOSFET ir tranzistorių palyginimas
(1) MOSFET šaltinis, vartai, nutekėjimo ir triodo šaltinis, bazė, nustatyto taško polius atitinka panašaus vaidmenį.
(2) MOSFET yra įtampos valdomas srovės įtaisas, stiprinimo koeficientas yra mažas, stiprinimo galimybės yra prastos; triodas yra srovės valdomas įtampos įtaisas, stiprinimo galimybė yra stipri.
(3) MOSFET vartai iš esmės nenaudoja srovės; ir triodo darbas, bazė sugers tam tikrą srovę. Todėl MOSFET vartų įėjimo varža yra didesnė nei triodo įėjimo varža.
(4) MOSFET laidžiajame procese dalyvauja politronas, o triode – dviejų rūšių nešikliai – politronas ir oligotronas, o jo oligotrono koncentracijai didelę įtaką daro temperatūra, spinduliuotė ir kiti veiksniai, todėl MOSFET. turi geresnį temperatūros stabilumą ir atsparumą spinduliuotei nei tranzistorius. MOSFET reikėtų rinktis tada, kai aplinkos sąlygos labai keičiasi.
(5) Kai MOSFET yra prijungtas prie šaltinio metalo ir pagrindo, šaltinis ir nutekėjimas gali būti keičiami, o charakteristikos labai nesikeičia, o kai keičiamas tranzistoriaus kolektorius ir emiteris, charakteristikos ir β vertė skiriasi. yra sumažintas.
(6) MOSFET triukšmo rodiklis yra mažas.
(7) MOSFET ir triodas gali būti sudaryti iš įvairių stiprintuvų grandinių ir perjungimo grandinių, tačiau pirmasis sunaudoja mažiau energijos, aukštas šiluminis stabilumas, platus maitinimo įtampos diapazonas, todėl yra plačiai naudojamas didelio masto ir itin didelėse. mastelio integriniai grandynai.
(8) Triodo įjungimo varža yra didelė, o MOSFET įjungimo varža yra maža, todėl MOSFET paprastai naudojami kaip didesnio efektyvumo jungikliai.
Paskelbimo laikas: 2024-05-16
