MOSFET anti-reversinė grandinė yra apsaugos priemonė, naudojama siekiant išvengti apkrovos grandinės pažeidimo dėl atvirkštinio maitinimo poliškumo. Kai maitinimo šaltinio poliškumas yra teisingas, grandinė veikia normaliai; pakeitus maitinimo poliškumą, grandinė automatiškai atjungiama, taip apsaugant apkrovą nuo pažeidimų. Toliau pateikiama išsami MOSFET anti-reversinės grandinės analizė:
Pirma, pagrindinis MOSFET anti-reversinės grandinės principas
MOSFET anti-reversinė grandinė, naudojanti MOSFET perjungimo charakteristikas, valdant vartų (G) įtampą, kad grandinė būtų įjungta ir išjungta. Kai maitinimo šaltinio poliškumas yra teisingas, vartų įtampa daro MOSFET laidumo būseną, srovė gali tekėti normaliai; Kai maitinimo šaltinio poliškumas pakeičiamas, vartų įtampa negali užtikrinti MOSFET laidumo, todėl grandinė nutrūksta.
Antra, konkretus MOSFET anti-atvirkštinės grandinės realizavimas
1. N kanalo MOSFET anti-reversinė grandinė
N kanalų MOSFET paprastai naudojami antireversinėms grandinėms realizuoti. Grandinėje N kanalo MOSFET šaltinis (S) yra prijungtas prie neigiamo apkrovos gnybto, nutekėjimas (D) yra prijungtas prie teigiamo maitinimo šaltinio gnybto, o užtvaras (G) yra prijungtas prie neigiamo apkrovos gnybto. neigiamas maitinimo šaltinio gnybtas per rezistorių arba valdomas valdymo grandine.
Prijungimas į priekį: teigiamas maitinimo šaltinio gnybtas yra prijungtas prie D, o neigiamas - prie S. Šiuo metu rezistorius suteikia MOSFET vartų šaltinio įtampą (VGS), o kai VGS yra didesnė už slenkstį. MOSFET įtampa (V-oji), MOSFET veda, o srovė teka iš teigiamo maitinimo šaltinio gnybto į apkrovą per MOSFET.
Atvirkščiai: teigiamas maitinimo šaltinio gnybtas yra prijungtas prie S, o neigiamas - prie D. Šiuo metu MOSFET yra išjungimo būsenoje ir grandinė yra atjungta, kad būtų apsaugota apkrova nuo pažeidimų, nes vartų įtampa nesugeba suformuoti pakankamo VGS, kad MOSFET veiktų (VGS gali būti mažesnis nei 0 arba daug mažesnis už Vth).
2. Pagalbinių komponentų vaidmuo
Rezistorius: naudojamas tiekti MOSFET vartų šaltinio įtampą ir apriboti vartų srovę, kad būtų išvengta vartų viršsrovių pažeidimų.
Įtampos reguliatorius: pasirenkamas komponentas, naudojamas apsaugoti nuo per didelės vartų šaltinio įtampos ir nesugadinti MOSFET.
Parazitinis diodas: MOSFET viduje yra parazitinis diodas (kūno diodas), tačiau jo poveikis paprastai yra ignoruojamas arba jo išvengiama, kad būtų išvengta žalingo jo poveikio antireversinėse grandinėse.
Trečia, MOSFET anti-reversinės grandinės pranašumai
Maži nuostoliai: MOSFET įjungimo varža yra maža, varžos įtampa yra sumažinta, todėl grandinės nuostoliai yra maži.
Didelis patikimumas: priešpriešinę funkciją galima realizuoti naudojant paprastą grandinės dizainą, o pats MOSFET yra labai patikimas.
Lankstumas: galima pasirinkti skirtingus MOSFET modelius ir grandinių konstrukcijas, kad atitiktų skirtingus taikymo reikalavimus.
Atsargumo priemonės
Kurdami MOSFET anti-reversinę grandinę, turite užtikrinti, kad MOSFET pasirinkimas atitiktų taikymo reikalavimus, įskaitant įtampą, srovę, perjungimo greitį ir kitus parametrus.
Būtina atsižvelgti į kitų grandinės komponentų, tokių kaip parazitinė talpa, parazitinis induktyvumas ir kt., įtaką, kad būtų išvengta neigiamo poveikio grandinės veikimui.
Praktikoje taip pat reikalingas tinkamas bandymas ir patikra, kad būtų užtikrintas grandinės stabilumas ir patikimumas.
Apibendrinant galima teigti, kad MOSFET anti-reversinė grandinė yra paprasta, patikima ir mažų nuostolių maitinimo šaltinio apsaugos schema, plačiai naudojama įvairiose srityse, kuriose reikia užkirsti kelią atvirkštiniam galios poliškumui.
Paskelbimo laikas: 2024-09-13
