Metalo oksido-puslaidininkio kristalinio tranzistoriaus struktūra, paprastai žinoma kaipMOSFET, kur MOSFET yra skirstomi į P tipo MOSFET ir N tipo MOSFET. Integriniai grandynai, sudaryti iš MOSFET, taip pat vadinami MOSFET integriniais grandynais, o glaudžiai susiję MOSFET integriniai grandynai, sudaryti iš PMOSFET irNMOSFET vadinami CMOSFET integriniais grandynais.
MOSFET, susidedantis iš p tipo substrato ir dviejų n-plitimo sričių su didelėmis koncentracijos vertėmis, vadinamas n kanalu.MOSFET, o laidų kanalą, kurį sukelia n tipo laidus kanalas, sukelia n plitimo keliai dviejuose n plitimo keliuose, kurių koncentracijos vertės yra didelės, kai vamzdis laidus. n kanalų sutirštinti MOSFET turi n kanalą, kurį sukelia laidus kanalas, kai teigiamas krypties poslinkis yra kiek įmanoma padidintas prie vartų ir tik tada, kai vartų šaltinio veikimui reikalinga darbinė įtampa, viršijanti slenkstinę įtampą. n kanalo išeikvojimo MOSFET yra tie, kurie nėra pasiruošę vartų įtampai (vartų šaltinio veikimui reikalinga nulinė darbinė įtampa). n kanalų šviesos išsekimo MOSFET yra n kanalų MOSFET, kuriame laidus kanalas sukeliamas, kai neparengiama užtvaro įtampa (vartų šaltinio veikimo reikalavimo darbinė įtampa lygi nuliui).
NMOSFET integriniai grandynai yra N kanalo MOSFET maitinimo grandinė, NMOSFET integriniai grandynai, įėjimo varža labai didelė, daugumai nereikia įsisavinti galios srauto, taigi CMOSFET ir NMOSFET integriniai grandynai yra prijungiami nepriimant atsižvelgti į galios srauto apkrovą.NMOSFET integriniai grandynai, didžioji dalis vienos grupės teigiamo perjungimo maitinimo grandinės maitinimo grandinės atrankos Dauguma NMOSFET integrinių grandynų naudoja vieną teigiamą perjungimo maitinimo grandinės maitinimo grandinę ir 9V daugiau. CMOSFET integriniams grandynams tereikia naudoti tą pačią perjungimo maitinimo grandinės maitinimo grandinę kaip ir NMOSFET integrinėms grandinėms, galima nedelsiant prijungti prie NMOSFET integrinių grandynų. Tačiau iš karto prijungiamas NMOSFET prie CMOSFET, nes NMOSFET išėjimo varža yra mažesnė nei CMOSFET integrinio grandyno traukimo varža, todėl pabandykite pritaikyti potencialų skirtumo ištraukimo rezistorių R, rezistoriaus R reikšmė yra paprastai nuo 2 iki 100 kΩ.
N kanalo sutirštinto MOSFET konstrukcija
Ant P tipo silicio pagrindo, kurio dopingo koncentracijos vertė yra maža, sudaromos dvi N sritys, turinčios didelę dopingo koncentracijos vertę, ir du elektrodai ištraukiami iš aliuminio metalo, kad būtų atitinkamai nutekėjimas d ir šaltinis s.
Tada puslaidininkinio komponento paviršiuje užmaskuojamas labai plonas silicio dioksido izoliacinio vamzdžio sluoksnis, drenoje - šaltinio izoliacinis vamzdis tarp drenažo ir kito aliuminio elektrodo šaltinio, kaip vartai g.
Į pagrindą taip pat išveskite elektrodą B, kurį sudaro N kanalo storis MOSFET. MOSFET šaltinis ir substratas paprastai yra sujungti, didžioji dalis gamykloje esančio vamzdžio jau seniai prijungta prie jo, jo užtvarai ir kiti elektrodai yra izoliuoti tarp korpuso.
Paskelbimo laikas: 2024-05-26
