Tinkamo MOSFET pasirinkimas grandinės tvarkyklei yra labai svarbi dalisMOSFET pasirinkimas nėra geras, turės tiesioginės įtakos visos grandinės efektyvumui ir problemos sąnaudoms, taip mes sakome pagrįstą MOSFET pasirinkimo kampą.
1, N kanalų ir P kanalų pasirinkimas
(1) Įprastose grandinėse, kai MOSFET yra įžemintas ir apkrova prijungta prie magistralinės įtampos, MOSFET yra žemos įtampos šoninis jungiklis. Žemos įtampos šoniniame jungiklyje turėtų būti naudojamas N kanalo MOSFET, atsižvelgiant į įtampą, reikalingą įrenginiui išjungti arba įjungti.
(2), kai MOSFET yra prijungtas prie magistralės ir apkrova įžeminta, reikia naudoti aukštos įtampos šoninį jungiklį. P kanalasMOSFET paprastai naudojami šioje topologijoje, vėlgi dėl įtampos pavaros.
2, nori pasirinkti tinkamąMOSFET, būtina nustatyti įtampą, reikalingą vardinei įtampai valdyti, taip pat projektuojant lengviausią įgyvendinimo būdą. Kai vardinė įtampa yra didesnė, prietaisas, žinoma, pareikalaus didesnių sąnaudų. Nešiojamoms konstrukcijoms dažniau naudojama žemesnė įtampa, o pramoninio dizaino atveju reikalinga didesnė įtampa. Remiantis praktine patirtimi, vardinė įtampa turi būti didesnė už magistralės arba magistralės įtampą. Tai užtikrins pakankamą saugos apsaugą, kad MOSFET nesuges.
3, po kurio nurodoma grandinės struktūra, srovė turėtų būti didžiausia srovė, kurią apkrova gali atlaikyti bet kokiomis aplinkybėmis, o tai taip pat pagrįsta būtinų aspektų sauga.
4. Galiausiai nustatomas MOSFET perjungimo našumas. Yra daug parametrų, kurie turi įtakos perjungimo našumui, tačiau svarbiausi yra vartai / nutekėjimas, vartai / šaltinis ir nutekėjimo / šaltinio talpa. Dėl šių talpų įrenginyje atsiranda perjungimo nuostolių, nes jie turi būti įkrauti kiekvieno perjungimo metu.
Paskelbimo laikas: 2024-05-20
