InverterioMOSFETveikia perjungimo būsenoje, o srovė, tekanti per vamzdžius, yra labai didelė. Jei vamzdis netinkamai parinktas, pavaros įtampos amplitudė yra nepakankamai didelė arba grandinės šilumos išsklaidymo lygis nėra geras, MOSFET gali įkaisti.
1, keitiklio MOSFET šildymas yra rimtas, reikėtų atkreipti dėmesį į MOSFET pasirinkimą
Perjungimo būsenoje esantis keitiklis MOSFET paprastai reikalauja kuo didesnės nutekėjimo srovės, kuo mažesnės įjungimo varžos, o tai gali sumažinti vamzdžio prisotinimo įtampos kritimą, taip sumažinant vamzdžio suvartojimą, sumažinant šilumą.
Patikrinkite MOSFET vadovą, pamatysime, kad kuo didesnė MOSFET atsparumo įtampa, tuo didesnė jo įjungimo varža, o tų, kurių vamzdžio nutekėjimo srovė ir maža atsparumo įtampa, jo įjungimo varža paprastai yra mažesnė nei dešimtys miliomų.
Darant prielaidą, kad apkrovos srovė yra 5 A, pasirenkame dažniausiai naudojamą keitiklį MOSFET RU75N08R, o įtampos atsparumo vertė gali būti 500 V 840, jų išleidimo srovė yra 5 A ar didesnė, tačiau dviejų vamzdžių varža įjungimui skiriasi, varyti ta pačia srove. , jų šilumos skirtumas labai didelis. 75N08R varža įjungimui yra tik 0,008 Ω, o 840 įjungimo varža yra 0,85 Ω, kai vamzdžiu tekanti apkrovos srovė yra 5 A, 75N08R vamzdžio įtampos kritimas yra tik 0,04 V, šiuo metu MOSFET vamzdžio suvartojimas yra tik 0,2 W, o 840 vamzdžių įtampos kritimas gali būti iki 4,25 W, vamzdžio suvartojimas siekia 21,25 W. Iš to matyti, kad kuo mažesnė keitiklio MOSFET varža įjungimui, tuo geriau, vamzdžio įjungimo varža yra didelė, vamzdžio suvartojimas esant didelei srovei Inverterio MOSFET įjungimo varža yra tokia pat maža. kiek įmanoma.
2, pavaros įtampos amplitudės pavaros grandinė nėra pakankamai didelė
MOSFET yra įtampos valdymo įtaisas, jei norite sumažinti vamzdžio suvartojimą, sumažinti šilumą,MOSFETvartų pavaros įtampos amplitudė turi būti pakankamai didelė, kad impulso kraštas būtų status ir tiesus, galite sumažinti vamzdžio įtampos kritimą, sumažinti vamzdžio suvartojimą.
3, MOSFET šilumos išsklaidymas nėra gera priežastis
InverterisMOSFETšildymas yra rimtas dalykas. Kadangi inverterio MOSFET energijos suvartojimas yra didelis, darbui paprastai reikia pakankamai didelio radiatoriaus išorinio ploto, o išorinis radiatorius ir pats MOSFET tarp radiatoriaus turi glaudžiai liestis (paprastai reikia padengti šilumai laidžiu silikoniniu tepalu ), jei išorinis aušintuvas yra mažesnis arba kontaktas su paties MOSFET radiatoriumi nėra pakankamai arti, vamzdis gali įkaisti.
Inverterio MOSFET šildymas rimtas yra keturios santraukos priežastys.
MOSFET nedidelis įkaitimas yra normalus reiškinys, tačiau rimtas įkaitimas, net nuvedantis į vamzdelį, yra sudegintas, yra šios keturios priežastys:
1, grandinės projektavimo problema
Leiskite MOSFET veikti linijine veikimo būsena, o ne perjungimo grandinės būsenoje. Tai taip pat yra viena iš MOSFET šildymo priežasčių. Jei N-MOS atlieka perjungimą, G lygio įtampa turi būti keliais V aukštesnė už maitinimo šaltinį, kad būtų visiškai įjungta, o P-MOS yra priešingai. Ne visiškai atidarytas ir įtampos kritimas yra per didelis, todėl suvartojama energija, ekvivalentinė nuolatinės srovės varža yra didesnė, didėja įtampos kritimas, todėl U * I taip pat didėja, nuostoliai reiškia šilumą. Tai dažniausiai išvengiama grandinės konstrukcijos klaida.
2, per didelis dažnis
Pagrindinė priežastis yra ta, kad kartais per didelis siekimas apimties, todėl padidėja dažnis, MOSFET nuostoliai dideliuose, todėl šiluma taip pat padidėja.
3, nepakanka šilumos dizaino
Jei srovė yra per didelė, MOSFET nominali srovės vertė paprastai reikalauja gero šilumos išsklaidymo. Taigi ID yra mažesnis už maksimalią srovę, jis taip pat gali labai įkaisti, reikia pakankamai papildomos šilumos kriauklės.
4, MOSFET pasirinkimas neteisingas
Neteisingas galios vertinimas, MOSFET vidinė varža nėra visiškai atsižvelgta, todėl padidėja perjungimo varža.
Paskelbimo laikas: 2024-04-22
