Kuriant perjungimo maitinimo šaltinį arba variklio pavaros grandinę, naudojantMOSFET, paprastai atsižvelgiama į tokius veiksnius kaip įjungimo varža, maksimali įtampa ir maksimali MOS srovė.
MOSFET vamzdeliai yra FET tipas, kuris gali būti pagamintas kaip padidinimo arba išeikvojimo tipas, P kanalas arba N kanalas iš viso 4 tipų. Paprastai naudojami patobulinimo NMOSFET ir patobulinimo PMOSFET, ir šie du paprastai minimi.
Šie du dažniausiai naudojami NMOS. Priežastis ta, kad laidžioji varža yra maža ir lengvai pagaminama. Todėl NMOS paprastai naudojamas perjungimo maitinimo ir variklio pavaros programose.
MOSFET viduje tarp kanalizacijos ir šaltinio yra įdėtas tiristorius, kuris yra labai svarbus valdant indukcines apkrovas, tokias kaip varikliai, ir yra tik viename MOSFET, paprastai ne integrinio grandyno luste.
Parazitinė talpa egzistuoja tarp trijų MOSFET kaiščių, ne todėl, kad mums jos reikia, bet dėl gamybos proceso apribojimų. Parazitinės talpos buvimas apsunkina projektuojant arba pasirenkant tvarkyklės grandinę, tačiau to negalima išvengti.
Pagrindiniai parametraiMOSFET
1, atvira įtampa VT
Atviroji įtampa (taip pat žinoma kaip slenkstinė įtampa): kad užtvaros įtampa, reikalinga pradėti formuoti laidų kanalą tarp šaltinio S ir nutekėjimo D; standartinis N kanalo MOSFET, VT yra apie 3 ~ 6 V; patobulinus procesą, MOSFET VT vertė gali būti sumažinta iki 2 ~ 3 V.
2, nuolatinės srovės įvesties varža RGS
Pridėtinės įtampos tarp vartų šaltinio poliaus ir vartų srovės santykis Ši charakteristika kartais išreiškiama vartų srove, tekančia per vartus, MOSFET RGS gali lengvai viršyti 1010Ω.
3. Drenažo šaltinio gedimas BVDS įtampa.
Esant sąlygai VGS = 0 (patobulinta), didinant nutekėjimo šaltinio įtampą, ID smarkiai padidėja, kai VDS vadinamas nutekėjimo šaltinio gedimo įtampa BVDS, ID smarkiai padidėja dėl dviejų priežasčių: (1) lavina. išsekimo sluoksnio skilimas šalia drenažo, (2) prasiskverbimo tarp drenažo ir šaltinio polių, kai kurie MOSFET, kurių tranšėjos ilgis yra trumpesnis, padidina VDS, kad drenažo sluoksnis išsiplėstų iki šaltinio srities, Kanalo ilgis lygus nuliui, tai yra, norint sukurti nutekėjimo šaltinio prasiskverbimą, įsiskverbimą, dauguma šaltinio srities nešėjų bus tiesiogiai pritraukti išeikvojimo sluoksnio elektrinio lauko į nutekėjimo sritį, todėl susidaro didelis ID .
4, vartų šaltinio gedimo įtampa BVGS
Padidinus vartų įtampą, VGS, kai IG padidinama nuo nulio, vadinama vartų šaltinio gedimo įtampa BVGS.
5、Žemo dažnio translaidumas
Kai VDS yra fiksuota vertė, drenažo srovės mikrovariacijos santykis su vartų šaltinio įtampos mikrovariacija, sukeliančia pokytį, vadinamas translaidumu, kuris atspindi vartų šaltinio įtampos gebėjimą valdyti nutekėjimo srovę ir yra svarbus parametras, apibūdinantis stiprinimo galimybesMOSFET.
6, atsparumas RON
Atsparumas RON rodo VDS poveikį ID, yra atvirkštinis nutekėjimo charakteristikų liestinės linijos nuolydis tam tikrame taške, prisotinimo srityje, ID beveik nesikeičia naudojant VDS, RON yra labai didelis. vertė, paprastai nuo dešimčių kiloomų iki šimtų kiloomų, nes skaitmeninėse grandinėse MOSFET dažnai veikia esant laidaus VDS būsenai = 0, todėl šiuo metu varžos RON gali būti apytiksliai apskaičiuojamas pagal RON kilmė, kad apytikslė bendra MOSFET RON vertė būtų kelių šimtų omų ribose.
7, tarppolinė talpa
Tarppoliarinė talpa yra tarp trijų elektrodų: užtvaro šaltinio talpa CGS, vartų nutekėjimo talpa CGD ir nutekėjimo šaltinio talpa CDS-CGS ir CGD yra apie 1 ~ 3 pF, CDS yra apie 0,1 ~ 1 pF.
8、Žemo dažnio triukšmo faktorius
Triukšmą sukelia nešėjų judėjimo vamzdyne nelygumai. Dėl jo buvimo išėjime atsiranda netaisyklingų įtampos arba srovės svyravimų, net jei stiprintuvas neteikia signalo. Triukšmo efektyvumas paprastai išreiškiamas triukšmo koeficientu NF. Vienetas yra decibelas (dB). Kuo mažesnė vertė, tuo mažiau triukšmo vamzdis skleidžia. Žemo dažnio triukšmo koeficientas yra triukšmo koeficientas, matuojamas žemų dažnių diapazone. Lauko efekto vamzdžio triukšmo koeficientas yra apie kelis dB, mažesnis nei dvipolio triodo.
Paskelbimo laikas: 2024-04-24
