Kaip perjungimo elementai, MOSFET ir IGBT dažnai atsiranda elektroninėse grandinėse. Jie taip pat yra panašūs savo išvaizda ir būdingais parametrais. Manau, kad daugeliui žmonių bus įdomu, kodėl kai kuriose grandinėse reikia naudoti MOSFET, o kitose. IGBT?
Kuo jie skiriasi? Kitas,Olukeyatsakys į jūsų klausimus!
Kas yra aMOSFET?
MOSFET, visas kinų pavadinimas yra metalo oksido puslaidininkinis lauko efekto tranzistorius. Kadangi šio lauko efekto tranzistoriaus vartai yra izoliuoti izoliaciniu sluoksniu, jis taip pat vadinamas izoliuotų vartų lauko efekto tranzistoriumi. MOSFET galima suskirstyti į du tipus: „N tipo“ ir „P tipo“ pagal jo „kanalo“ (darbinio nešiklio) poliškumą, paprastai dar vadinamą N MOSFET ir P MOSFET.
Pats MOSFET turi savo parazitinį diodą, kuris naudojamas neleisti MOSFET perdegti, kai VDD yra per didelė. Kadangi prieš viršįtampio sugadinimą MOSFET, diodas pirmiausia sugenda ir nukreipia didelę srovę į žemę, taip užkertant kelią MOSFET perdegimui.
Kas yra IGBT?
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) yra sudėtinis puslaidininkinis įtaisas, sudarytas iš tranzistoriaus ir MOSFET.
IGBT grandinės simboliai dar nėra suvienodinti. Braižant scheminę schemą dažniausiai pasiskolinami triodo ir MOSFET simboliai. Šiuo metu pagal schemoje pažymėtą modelį galite nuspręsti, ar tai IGBT, ar MOSFET.
Tuo pačiu metu taip pat turėtumėte atkreipti dėmesį į tai, ar IGBT turi kūno diodą. Jei paveikslėlyje jis nepažymėtas, tai nereiškia, kad jo nėra. Jei oficialiuose duomenyse nenurodyta kitaip, šis diodas yra. IGBT viduje esantis kūno diodas nėra parazitinis, bet yra specialiai sukurtas apsaugoti trapią IGBT atvirkštinio atsparumo įtampą. Jis taip pat vadinamas FWD (laisvos eigos diodas).
Jų vidinė struktūra skiriasi
Trys MOSFET poliai yra šaltinis (S), kanalizacija (D) ir vartai (G).
Trys IGBT poliai yra kolektorius (C), emiteris (E) ir vartai (G).
IGBT yra sukonstruotas pridedant papildomą sluoksnį prie MOSFET kanalizacijos. Jų vidinė struktūra yra tokia:
Šių dviejų taikymo sritys skiriasi
MOSFET ir IGBT vidinės struktūros skiriasi, o tai lemia jų taikymo sritis.
Dėl MOSFET struktūros jis paprastai gali pasiekti didelę srovę, kuri gali pasiekti KA, tačiau būtina įtampos atsparumo galimybė nėra tokia stipri kaip IGBT. Pagrindinės jo taikymo sritys yra perjungimo maitinimo šaltiniai, balastai, aukšto dažnio indukcinis šildymas, aukšto dažnio inverteriniai suvirinimo aparatai, ryšių maitinimo šaltiniai ir kiti aukšto dažnio maitinimo šaltiniai.
IGBT gali pagaminti daug galios, srovės ir įtampos, tačiau dažnis nėra per didelis. Šiuo metu sunkus IGBT perjungimo greitis gali siekti 100KHZ. IGBT plačiai naudojamas suvirinimo aparatuose, keitikliuose, dažnio keitikliuose, galvanizavimo elektrolitiniuose maitinimo šaltiniuose, ultragarso indukciniame šildyme ir kitose srityse.
Pagrindinės MOSFET ir IGBT savybės
MOSFET turi didelę įėjimo varžą, greitą perjungimo greitį, gerą terminį stabilumą, įtampos valdymo srovę ir kt. Grandinėje jis gali būti naudojamas kaip stiprintuvas, elektroninis jungiklis ir kitiems tikslams.
Kaip naujo tipo elektroninis puslaidininkinis įtaisas, IGBT pasižymi didelės įėjimo varžos, žemos įtampos valdymo energijos suvartojimo, paprasto valdymo grandinės, didelės įtampos atsparumo ir didelės srovės tolerancijos charakteristikomis ir buvo plačiai naudojamas įvairiose elektroninėse grandinėse.
Ideali lygiavertė IGBT grandinė parodyta paveikslėlyje žemiau. IGBT iš tikrųjų yra MOSFET ir tranzistoriaus derinys. MOSFET trūkumas yra didelis atsparumas įjungimui, tačiau IGBT įveikia šį trūkumą. IGBT vis dar turi mažą varžą esant aukštai įtampai. .
Apskritai MOSFET pranašumas yra tas, kad jis turi geras aukšto dažnio charakteristikas ir gali veikti šimtų kHz ir iki MHz dažniu. Trūkumas yra tas, kad įjungimo varža yra didelė ir energijos suvartojimas yra didelis aukštos įtampos ir didelės srovės situacijose. IGBT gerai veikia žemo dažnio ir didelės galios situacijose, su maža įjungimo varža ir aukšta atsparumo įtampa.
Pasirinkite MOSFET arba IGBT
Inžinieriai dažnai susiduria su grandine, ar pasirinkti MOSFET kaip maitinimo jungiklio vamzdelį, ar IGBT. Jei atsižvelgiama į tokius veiksnius kaip įtampa, srovė ir sistemos perjungimo galia, galima apibendrinti šiuos dalykus:
Žmonės dažnai klausia: "MoSFET ar IGBT yra geresni?" Tiesą sakant, nėra gero ar blogo skirtumo tarp šių dviejų. Svarbiausia pamatyti tikrąjį jo taikymą.
Jei vis dar turite klausimų apie skirtumą tarp MOSFET ir IGBT, dėl išsamesnės informacijos galite susisiekti su Olukey.
Olukey daugiausia platina WINSOK vidutinės ir žemos įtampos MOSFET produktus. Produktai plačiai naudojami karinėje pramonėje, LED / LCD tvarkyklių plokštėse, variklių vairuotojų plokštėse, greito įkrovimo, elektroninių cigarečių, LCD monitorių, maitinimo šaltinių, smulkių buitinių prietaisų, medicinos gaminių ir "Bluetooth" gaminių srityse. Elektroninės svarstyklės, transporto priemonių elektronika, tinklo produktai, buitinė technika, kompiuterių periferiniai įrenginiai ir įvairūs skaitmeniniai gaminiai.
Paskelbimo laikas: 2023-12-18
