Olukey paaiškina MOSFET parametrus jums!

MOSFET, kaip vienas iš pagrindinių puslaidininkių srities įrenginių, plačiai naudojamas tiek IC projektavimo, tiek plokštės lygio grandinės programose. Taigi, kiek jūs žinote apie įvairius MOSFET parametrus? Kaip vidutinės ir žemos įtampos MOSFET specialistas,Olukeyišsamiai paaiškins įvairius MOSFET parametrus!

VDSS maksimali nutekėjimo šaltinio atsparumo įtampa

Nutekėjimo šaltinio įtampa, kai tekanti nutekėjimo srovė pasiekia tam tikrą vertę (staigiai padidėja) esant tam tikrai temperatūrai ir užtvaro šaltinio trumpajam jungimui. Nutekėjimo šaltinio įtampa šiuo atveju taip pat vadinama lavinos gedimo įtampa. VDSS turi teigiamą temperatūros koeficientą. Esant -50 °C temperatūrai VDSS yra maždaug 90% to, kas yra esant 25 °C. Dėl pašalpos, paprastai paliekamos įprastoje gamyboje, lavinos gedimo įtampaMOSFETvisada yra didesnė už vardinę įtampą.

Šiltas Olukey priminimas: siekiant užtikrinti gaminio patikimumą, esant blogiausioms darbo sąlygoms, rekomenduojama, kad darbinė įtampa neviršytų 80–90% vardinės vertės.

VGSS maksimali vartų šaltinio atsparumo įtampa

Tai reiškia VGS vertę, kai atvirkštinė srovė tarp vartų ir šaltinio pradeda smarkiai didėti. Šios įtampos vertės viršijimas sukels vartų oksido sluoksnio dielektrinį gedimą, o tai yra destruktyvus ir negrįžtamas gedimas.

ID maksimali nutekėjimo šaltinio srovė

Tai reiškia didžiausią leistiną srovę tarp kanalizacijos ir šaltinio, kai lauko tranzistorius veikia normaliai. MOSFET veikimo srovė neturi viršyti ID. Šis parametras sumažės, kai sankryžos temperatūra padidės.

IDM maksimali impulsinė nutekėjimo šaltinio srovė

Atspindi impulsinės srovės lygį, kurį įrenginys gali valdyti. Šis parametras mažės, kai sankryžos temperatūra padidės. Jei šis parametras per mažas, gali kilti pavojus, kad OCP bandymo metu sistema gali sugesti dėl srovės.

PD didžiausios galios išsklaidymas

Tai reiškia didžiausią leistiną nutekėjimo šaltinio galios išsklaidymą nepabloginant lauko efekto tranzistoriaus veikimo. Kai naudojamas, faktinis lauko efekto tranzistoriaus energijos suvartojimas turėtų būti mažesnis nei PDSM ir palikti tam tikrą ribą. Šis parametras paprastai mažėja didėjant sankryžos temperatūrai.

TJ, TSTG darbinės temperatūros ir laikymo aplinkos temperatūros diapazonas

Šie du parametrai kalibruoja sankryžos temperatūros diapazoną, leidžiamą įrenginio veikimo ir saugojimo aplinkoje. Šis temperatūros diapazonas nustatytas taip, kad atitiktų minimalius įrenginio eksploatavimo trukmės reikalavimus. Jei prietaisas veiks šiame temperatūros diapazone, jo tarnavimo laikas labai pailgės.