Skirtumas tarp korpuso diodo ir MOSFET

Kūno diodas (kuris dažnai tiesiog vadinamas įprastu diodu, kaip terminas“kūno diodas“nėra dažnai naudojamas įprastame kontekste ir gali reikšti paties diodo charakteristiką arba struktūrą; tačiau šiuo tikslu manome, kad tai reiškia standartinį diodą) ir MOSFET (metalo oksido puslaidininkio lauko efekto tranzistorius) labai skiriasi keliais aspektais. Žemiau pateikiama išsami jų skirtumų analizė:

1. Pagrindiniai apibrėžimai ir struktūros

- Diodas: diodas yra puslaidininkinis įtaisas su dviem elektrodais, sudarytais iš P tipo ir N tipo puslaidininkių, sudarančių PN sandūrą. Jis leidžia tik srovei tekėti iš teigiamos į neigiamą pusę (priekinis poslinkis), tuo pačiu blokuodamas atvirkštinį srautą (atvirkštinis poslinkis).

- MOSFET: MOSFET yra trijų gnybtų puslaidininkinis įtaisas, kuris naudoja elektrinio lauko efektą srovei valdyti. Jį sudaro vartai (G), šaltinis (S) ir kanalizacija (D). Srovę tarp šaltinio ir nutekėjimo valdo vartų įtampa.

2. Darbo principas

- Diodas: diodo veikimo principas pagrįstas vienkrypčiu PN jungties laidumu. Esant tiesioginiam poslinkiui, nešikliai (skylės ir elektronai) pasklinda per PN sandūrą, sudarydami srovę; esant atvirkštiniam poslinkiui, sukuriamas potencialo barjeras, neleidžiantis srovei tekėti.

- MOSFET: MOSFET veikimo principas pagrįstas elektrinio lauko efektu. Pasikeitus vartų įtampai, puslaidininkio paviršiuje po vartais susidaro laidus kanalas (N-kanalas arba P-kanalas), valdantis srovę tarp šaltinio ir nutekėjimo. MOSFET yra įtampa valdomi įrenginiai, kurių išėjimo srovė priklauso nuo įvesties įtampos.

3. Veikimo charakteristikos

- Diodas:

- Tinka aukšto dažnio ir mažos galios programoms.

- Turi vienkryptį laidumą, todėl yra pagrindinis komponentas ištaisymo, aptikimo ir įtampos reguliavimo grandinėse.

- Atvirkštinio gedimo įtampa yra esminis parametras ir į ją reikia atsižvelgti projektuojant, kad būtų išvengta atvirkštinio gedimo problemų.

- MOSFET:

- Turi didelę įėjimo varžą, mažą triukšmą, mažą energijos suvartojimą ir gerą šiluminį stabilumą.

- Tinka didelio masto integriniams grandynams ir galios elektronikai.

- MOSFET yra skirstomi į N kanalų ir P kanalų tipus, kurių kiekvienas yra patobulinimo ir išeikvojimo režimo.

- Pasižymi geromis nuolatinės srovės charakteristikomis, o srovė išlieka beveik pastovi soties srityje.

4. Taikymo laukai

- Diodas: plačiai naudojamas elektronikos, ryšių ir maitinimo srityse, pavyzdžiui, ištaisymo grandinėse, įtampos reguliavimo grandinėse ir aptikimo grandinėse.

- MOSFET: atlieka lemiamą vaidmenį integrinėse grandinėse, galios elektronikoje, kompiuteriuose ir komunikacijoje, naudojamas kaip perjungimo elementai, stiprinimo elementai ir varomieji elementai.

5. Išvada

Diodai ir MOSFET skiriasi savo pagrindiniais apibrėžimais, struktūromis, veikimo principais, veikimo charakteristikomis ir taikymo sritimis. Diodai dėl savo vienkrypčio laidumo atlieka pagrindinį vaidmenį tiesinant ir reguliuojant įtampą, o dėl didelės įėjimo varžos, mažo triukšmo ir mažo energijos suvartojimo MOSFET yra plačiai naudojami integrinėse grandinėse ir galios elektronikoje. Abu komponentai yra pagrindiniai šiuolaikinės elektroninės technologijos elementai, kurių kiekvienas turi savo privalumų.