Skirtumas tarp N kanalo MOSFET ir P kanalo MOSFET! Padėkite geriau išsirinkti MOSFET gamintojus!

Grandinių projektuotojai, rinkdamiesi MOSFET, turi atsižvelgti į klausimą: ar jie turėtų rinktis P kanalo MOSFET ar N kanalo MOSFET? Kaip gamintojas, turite norėti, kad jūsų produktai konkuruotų su kitais prekybininkais mažesnėmis kainomis, taip pat turite atlikti pakartotinius palyginimus. Taigi kaip pasirinkti? OLUKEY, MOSFET gamintojas, turintis 20 metų patirtį, nori pasidalinti su jumis.

1 skirtumas: laidumo charakteristikos

N kanalo MOS charakteristikos yra tokios, kad jis įsijungs, kai Vgs yra didesnis už tam tikrą reikšmę. Tinka naudoti, kai šaltinis yra įžemintas (žemos klasės pavara), kol vartų įtampa pasiekia 4V arba 10V. Kalbant apie P kanalo MOS charakteristikas, jis įsijungs, kai Vgs bus mažesnis už tam tikrą reikšmę, o tai tinka situacijose, kai šaltinis yra prijungtas prie VCC (aukštos klasės disko).

2 skirtumas:MOSFETperjungimo praradimas

Nesvarbu, ar tai N kanalo MOS, ar P kanalo MOS, jį įjungus yra įjungimo varža, todėl srovė sunaudos energiją šiai varžai. Ši sunaudojamos energijos dalis vadinama laidumo praradimu. Pasirinkus MOSFET su maža įjungimo varža, sumažės laidumo nuostoliai, o dabartinių mažos galios MOSFET varža paprastai yra apie dešimtis miliohmų, taip pat yra keletas miliohmų. Be to, kai MOS įjungiamas ir išjungiamas, jis neturi būti baigtas akimirksniu. Vyksta mažėjimo procesas, o tekanti srovė taip pat didėja.

Per šį laikotarpį MOSFET nuostoliai yra įtampos ir srovės sandauga, vadinama perjungimo nuostoliais. Paprastai perjungimo nuostoliai yra daug didesni nei laidumo nuostoliai, ir kuo didesnis perjungimo dažnis, tuo didesni nuostoliai. Įtampos ir srovės sandauga laidumo momentu yra labai didelė, o sukeliami nuostoliai taip pat labai dideli, todėl trumpinant perjungimo laiką sumažėja nuostoliai kiekvieno laidumo metu; sumažinus perjungimo dažnį, galima sumažinti jungiklių skaičių per laiko vienetą.

Trečias skirtumas: MOSFET naudojimas

P kanalo MOSFET skylės mobilumas yra mažas, todėl kai MOSFET geometrinis dydis ir absoliuti darbinės įtampos vertė yra vienodi, P kanalo MOSFET translaidumas yra mažesnis nei N kanalo MOSFET. Be to, P kanalo MOSFET slenkstinės įtampos absoliuti vertė yra gana didelė, todėl reikia didesnės darbinės įtampos. P-kanalo MOS turi didelį loginį svyravimą, ilgą įkrovimo ir iškrovimo procesą bei mažą įrenginio translaidumą, todėl jo veikimo greitis yra mažesnis. Po N kanalo MOSFET atsiradimo dauguma jų buvo pakeisti N kanalo MOSFET. Tačiau, kadangi P kanalo MOSFET procesas yra paprastas ir yra pigus, kai kurios vidutinio ir mažo masto skaitmeninės valdymo grandinės vis dar naudoja PMOS grandinės technologiją.

Gerai, tiek šiandienos dalijimosi iš OLUKEY, pakuočių MOSFET gamintojo. Norėdami gauti daugiau informacijos, mus galite rasti adresuOLUKEYoficiali svetainė. OLUKEY 20 metų daugiausia dėmesio skyrė MOSFET ir jos būstinė yra Šendžene, Guangdongo provincijoje, Kinijoje. Daugiausia užsiima didelės srovės lauko efekto tranzistoriais, didelės galios MOSFET, didelio paketo MOSFET, mažos įtampos MOSFET, mažo paketo MOSFET, mažos srovės MOSFET, MOS lauko efekto vamzdžiais, supakuotais MOSFET, galios MOS, MOSFET paketais, originaliais MOSFET, supakuotais MOSFET ir kt. Pagrindinis agento produktas yra WINSOK.