Galios MOSFET struktūros supratimas

Galios MOSFET yra esminiai šiuolaikinės galios elektronikos komponentai, skirti valdyti aukštą įtampą ir sroves. Išnagrinėkime jų unikalias struktūrines ypatybes, kurios leidžia efektyviai valdyti energiją.

Pagrindinės struktūros apžvalga

Šaltinis metalas ║ ╔═══╩═══╗ ║ n+ ║ n+ ║ Šaltinis ════╝ ╚════ p+ p Kūnas ═══╩═══╗ ════════════════ n+ substratas ║ ╨ Metalo nutekėjimas

Įprasto Power MOSFET skerspjūvio vaizdas

Vertikali struktūra

Skirtingai nuo įprastų MOSFET, galios MOSFET yra vertikali struktūra, kurioje srovė teka iš viršaus (šaltinis) į apačią (nutekėjimas), padidinant srovės valdymo pajėgumą.

Drifto regionas

Sudėtyje yra lengvai legiruoto n-sritis, kuri palaiko aukštą blokavimo įtampą ir valdo elektrinio lauko pasiskirstymą.

Pagrindiniai struktūriniai komponentai

Metalo šaltinis:Viršutinis metalinis sluoksnis srovės surinkimui ir paskirstymui
n+ šaltinio regionai:Stipriai legiruotos vietos nešiklio injekcijoms
p-Kūno sritis:Sukuria srovės srauto kanalą
n- Drifto regionas:Palaiko įtampos blokavimo galimybę
n+ substratas:Suteikia mažo pasipriešinimo kelią nutekėjimui
Išleidimo metalas:Apatinis metalinis kontaktas srovės srautui