Kokie yra MOSFET naudojimo būdai?

MOSFETyra plačiai naudojami. Dabar kai kurie didelio masto integriniai grandynai yra naudojami MOSFET, pagrindinė funkcija ir BJT tranzistorius, yra perjungimas ir stiprinimas. Iš esmės BJT triodą galima naudoti ten, kur jį galima naudoti, o kai kuriose vietose našumas yra geresnis nei triodo.

MOSFET stiprinimas

MOSFET ir BJT triodas, nors ir puslaidininkinis stiprintuvas, tačiau daugiau privalumų nei triodas, pavyzdžiui, didelė įėjimo varža, signalo šaltinis beveik neturi srovės, o tai prisideda prie įvesties signalo stabilumo. Tai idealus įrenginys kaip įvesties pakopos stiprintuvas, taip pat turi mažo triukšmo ir gero temperatūros stabilumo privalumus. Jis dažnai naudojamas kaip garso stiprinimo grandinių išankstinis stiprintuvas. Tačiau, kadangi tai yra įtampos valdomas srovės įtaisas, išleidimo srovę valdo įtampa tarp vartų šaltinio, žemo dažnio translaidumo stiprinimo koeficientas paprastai nėra didelis, todėl stiprinimo galimybės yra prastos.

MOSFET perjungimo efektas

MOSFET naudojamas kaip elektroninis jungiklis, nes remiasi tik polioniniu laidumu, todėl nėra tokio kaip BJT triodas dėl bazinės srovės ir įkrovos saugojimo efekto, todėl MOSFET perjungimo greitis yra didesnis nei triodo, kaip perjungimo vamzdis dažnai naudojamas aukšto dažnio didelės srovės atveju, pavyzdžiui, perjungiant maitinimo šaltinius, naudojamus MOSFET aukšto dažnio aukštos srovės darbo būsenoje. Palyginti su BJT triodiniais jungikliais, MOSFET jungikliai gali veikti esant mažesnei įtampai ir srovėms, juos lengviau integruoti į silicio plokšteles, todėl jie plačiai naudojami didelio masto integriniuose grandynuose.

Kokios atsargumo priemonės taikomos naudojantMOSFET?

MOSFETai yra subtilesni nei triodai ir gali būti lengvai pažeisti netinkamai naudojant, todėl juos naudojant reikia būti ypač atsargiems.

(1) Būtina pasirinkti tinkamą MOSFET tipą įvairiems naudojimo atvejams.

(2) MOSFET, ypač izoliuotų vartų MOSFET, turi didelę įėjimo varžą ir, kai jie nenaudojami, jie turėtų būti trumpai sujungti su kiekvienu elektrodu, kad būtų išvengta vamzdžio pažeidimo dėl vartų induktyvumo krūvio.

(3) jungties MOSFET vartų šaltinio įtampa negali būti pakeista, bet gali būti išsaugota atviros grandinės būsenoje.

(4) Siekiant išlaikyti didelę MOSFET įvesties varžą, vamzdis turi būti apsaugotas nuo drėgmės ir laikomas sausas naudojimo aplinkoje.

(5) Įkrauti objektai (pvz., lituoklis, bandymo prietaisai ir kt.), besiliečiantys su MOSFET, turi būti įžeminti, kad būtų išvengta vamzdelio pažeidimo. Ypač suvirinant izoliuotus vartus MOSFET, pagal šaltinį - vartų eilės suvirinimo tvarką, geriausia suvirinti po maitinimo išjungimo. Tinkama lituoklio galia iki 15 ~ 30 W, suvirinimo laikas neturi viršyti 10 sekundžių.

(6) izoliuoti vartai MOSFET negali būti tikrinami su multimetru, gali būti tikrinami tik su testeriu ir tik priėjus prie testerio pašalinti trumpojo jungimo laidus iš elektrodų. Nuėmus, prieš išimant elektrodus būtina trumpai sujungti, kad būtų išvengta vartų išsikišimo.

(7) NaudojantMOSFETsu pagrindo laidais, pagrindo laidai turi būti tinkamai prijungti.