Kodėl visada sunku išbandyti didelės galios MOSFET naudojimą ir pakeitimą multimetru?

Apie didelės galios MOSFET buvo vienas iš inžinierių, norinčių diskutuoti šia tema, todėl suorganizavome bendras ir neįprastas žinias apieMOSFET, tikiuosi padėti inžinieriams. Pakalbėkime apie MOSFET, labai svarbų komponentą!

Antistatinė apsauga

Didelės galios MOSFET yra izoliuotas vartų lauko efekto vamzdis, vartuose nėra nuolatinės srovės grandinės, įvesties varža yra labai didelė, labai lengva sukelti statinio krūvio agregaciją, todėl aukšta įtampa bus vartai ir šaltinis. izoliacinis sluoksnis tarp gedimų.

Dauguma ankstyvosios MOSFET gamybos neturi antistatinių priemonių, todėl būkite labai atsargūs saugodami ir taikydami, ypač mažesnio galingumo MOSFET, nes dėl mažesnės galios MOSFET įvesties talpa yra palyginti maža, veikiant statinei elektrai, susidaro didesnė įtampa, kurią lengvai sukelia elektrostatinis gedimas.

Neseniai patobulintas didelės galios MOSFET yra palyginti didelis skirtumas, visų pirma, dėl didesnės įvesties talpos funkcijos taip pat yra didesnės, todėl kontaktas su statine elektra turi įkrovimo procesą, todėl įtampa yra mažesnė ir sukelia gedimą. apie galimybę naudoti mažesnį, o vėliau ir vėl, dabar didelės galios MOSFET vidiniuose vartuose ir vartų šaltinį bei apsaugoto reguliatoriaus DZ šaltinį, statinį, įterptą į apsaugą reguliatoriaus diodo įtampos reguliatoriaus vertė Žemiau efektyviai apsaugokite izoliacinio sluoksnio vartus ir šaltinį, skirtingą galią, skirtingų modelių MOSFET apsaugos reguliatoriaus diodo įtampos reguliatoriaus vertė skiriasi.

Nors didelės galios MOSFET vidinės apsaugos priemonės, turėtume veikti pagal antistatinę veikimo tvarką, kurią turėtų turėti kvalifikuotas techninės priežiūros personalas.

Aptikimas ir pakeitimas

Taisydami televizorius ir elektros įrangą, susidursite su įvairiais komponentų pažeidimais,MOSFETtaip pat yra tarp jų, todėl mūsų techninės priežiūros darbuotojai naudoja dažniausiai naudojamą multimetrą, kad nustatytų gerą ir blogą, gerą ir blogą MOSFET. Keičiant MOSFET, jei nėra to paties gamintojo ir to paties modelio, kaip pakeisti problemą.

1, didelės galios MOSFET testas:

Kaip bendras elektrinių televizorių remonto personalas matuojantis krištolo tranzistorius ar diodus, paprastai naudodamas įprastą multimetrą, kad nustatytų gerus ir blogus tranzistorius ar diodus, nors tranzistoriaus ar diodo elektrinių parametrų sprendimas negali būti patvirtintas, bet tol, kol metodas yra teisingas kristalų tranzistorių „gerų“ ir „blogų“ arba „blogų“ kristalų tranzistorių patvirtinimui. „Blogai“ arba be problemų. Panašiai gali būti ir MOSFET

Multimetrui nustatyti jo "gerai" ir "blogai" iš bendros priežiūros taip pat galima patenkinti poreikius.

Aptikimui reikia naudoti rodyklės tipo multimetrą (skaitmeninis matuoklis netinka puslaidininkiniams įtaisams matuoti). Maitinimo tipo MOSFET perjungimo vamzdis yra N kanalo patobulinimas, beveik visi gamintojų gaminiai naudoja tą pačią TO-220F paketo formą (tai yra perjungiamas maitinimo šaltinis, skirtas 50-200 W lauko efekto perjungimo vamzdžio galiai) , trijų elektrodų išdėstymas taip pat yra nuoseklus, tai yra, trys

Smeigtukai žemyn, atspausdinkite modelį, nukreiptą į save, kairysis kaištis vartams, dešinysis bandomasis kaištis šaltiniui, vidurinis kaištis kanalizacijai.

(1) multimetras ir susiję preparatai:

Visų pirma, prieš atliekant matavimą, reikia turėti galimybę naudoti multimetrą, ypač naudojant ominę pavarą, kad suprastumėte, kad omų blokas bus teisingas omo bloko taikymas krištolo tranzistoriui matuoti irMOSFET.

Su multimetro omų bloku omų centro skalė negali būti per didelė, pageidautina, mažesnė nei 12 Ω (500 tipo lentelė 12 Ω), kad R × 1 bloke būtų didesnė srovė, skirta priekinės PN sankryžoje. nuosprendžio charakteristikos yra tikslesnės. Multimetro R × 10K bloko vidinė baterija geriausia yra didesnė nei 9 V, todėl, matuojant PN sankryžą, atvirkštinė nuotėkio srovė yra tikslesnė, kitaip nuotėkio negalima išmatuoti.

Dabar dėl gamybos proceso pažangos gamyklos patikra, bandymai yra labai griežti, mes paprastai vertiname tol, kol MOSFET sprendimas nenutekės, nepralaužs trumpojo jungimo, vidinis nejungimas gali būti Patobulintas kelyje, metodas yra labai paprastas:

Multimetro R × 10K bloko naudojimas; R × 10K bloko vidinė baterija paprastai yra 9 V plius 1,5 V iki 10,5 V, ši įtampa paprastai laikoma pakankama PN sankryžos inversijos nuotėkiui, raudonas multimetro rašiklis turi neigiamą potencialą (prijungtas prie neigiamo vidinio akumuliatoriaus gnybto), juodas multimetro rašiklis turi teigiamą potencialą (prijungtas prie teigiamo vidinės baterijos gnybto).

(2) Bandymo procedūra:

Prijunkite raudoną rašiklį prie MOSFET S šaltinio; prijunkite juodą švirkštimo priemonę prie MOSFET D išleidimo angos. Šiuo metu adatos indikacija turėtų būti begalybė. Jei yra ominis indeksas, rodantis, kad bandomas vamzdelis turi nuotėkio reiškinį, šio vamzdelio naudoti negalima.

Išlaikyti aukščiau nurodytą būseną; šiuo metu su 100K ~ 200K rezistoriumi, prijungtu prie vartų ir kanalizacijos; šiuo metu adata turėtų nurodyti omų skaičių, kuo mažesnis, tuo geriau, paprastai gali būti nurodytas iki 0 omų, šį kartą tai yra teigiamas krūvis per 100K rezistorių MOSFET vartų įkrovime, dėl kurio susidaro vartų elektrinis laukas. elektrinis laukas, kurį sukuria laidus kanalas, lemiantis nutekėjimo ir šaltinio laidumą, todėl multimetro adatos įlinkis, įlinkio kampas yra didelis (Omo indeksas mažas), kad būtų įrodyta kad iškrovimo našumas yra geras.

Ir tada prijungtas prie rezistoriaus pašalintas, tada multimetro rodyklė vis tiek turėtų būti MOSFET rodyklėje lieka nepakitusi. Nors rezistorius atimti, bet kadangi rezistorius prie vartų įkrautas krūvis neišnyksta, vartų elektrinis laukas ir toliau palaiko vidinį laidų kanalą, kuris yra izoliuotų vartų tipo MOSFET charakteristikos.

Jei rezistorius atims adatą, lėtai ir palaipsniui grįš į didelį pasipriešinimą arba net grįš į begalybę, manyti, kad išmatuotas vamzdžio vartų nuotėkis.

Šiuo metu su laidu, prijungtu prie bandomojo vamzdžio vartų ir šaltinio, multimetro rodyklė iškart grįžo į begalybę. Laido prijungimas taip, kad išmatuotas MOSFET, vartų įkrova, vidinis elektrinis laukas išnyktų; Laidus kanalas taip pat išnyksta, todėl nutekėjimas ir šaltinis tarp pasipriešinimo ir tampa begalinis.

2, didelės galios MOSFET pakeitimas

Taisant televizorių ir visų rūšių elektros įrangą, jei pažeidžiami komponentai, juos reikia pakeisti tokio paties tipo komponentais. Tačiau kartais tų pačių komponentų nėra po ranka, reikia naudoti kitus pakeitimo tipus, todėl turime atsižvelgti į visus veikimo aspektus, parametrus, matmenis ir pan., pvz., televizorių linijos išvesties vamzdžio viduje, kaip tol, kol atsižvelgiant į įtampą, srovę, galią paprastai galima pakeisti (linijos išvesties vamzdis beveik tokie patys išvaizdos matmenys), o galia yra didesnė ir geresnė.

Dėl MOSFET pakeitimo, nors ir šis principas, geriausia prototipą geriausia, ypač nesiekti galios būti didesnės, nes galia yra didelė; įvesties talpa yra didelė, pakitusi ir sužadinimo grandinės nesutampa su laistymo grandinės įkrovimo srovės ribojančio rezistoriaus sužadinimo varžos dydžio, o MOSFET įvesties talpa yra susijusi su didelės galios parinkimu, nepaisant talpa didelė, tačiau įvesties talpa taip pat didelė, įvesties talpa taip pat didelė, o galia nėra didelė.

Įvesties talpa taip pat didelė, sužadinimo grandinė nėra gera, o tai savo ruožtu pablogins MOSFET įjungimo ir išjungimo veikimą. Rodo skirtingų modelių MOSFET pakeitimą, atsižvelgiant į šio parametro įvesties talpą.

Pavyzdžiui, yra 42 colių LCD televizoriaus foninio apšvietimo aukštos įtampos plokštės pažeidimas, patikrinus vidinį didelės galios MOSFET pažeidimą, nes nėra pakeitimo prototipo numerio, įtampos, srovės, galios pasirinkimas yra ne mažesnis kaip Pradinis MOSFET pakeitimas, dėl to foninio apšvietimo vamzdelis nuolat mirga (paleidimo sunkumai), o galiausiai pakeistas to paties tipo originalu, kad išspręstų problemą.

Aptiktas didelės galios MOSFET pažeidimas, jo periferiniai perfuzijos grandinės komponentai taip pat turi būti pakeisti, nes MOSFET pažeidimai taip pat gali būti prasti perfuzijos grandinės komponentai, kuriuos sukėlė MOSFET pažeidimas. Net jei pats MOSFET yra pažeistas, MOSFET sugenda, perfuzijos grandinės komponentai taip pat yra pažeisti ir juos reikia pakeisti.

Lygiai taip pat, kaip turime daug sumanaus remonto meistro A3 perjungiamojo maitinimo šaltinio remonte; kol nustatomas, kad sugedo perjungimo vamzdelis, tai yra ir 2SC3807 žadinimo vamzdelio priekis kartu su tos pačios priežasties pakeitimu (nors 2SC3807 vamzdis, matuojamas multimetru, yra geras).